1989 Fiscal Year Annual Research Report
Project/Area Number |
01850060
|
Research Category |
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
|
Research Institution | Shinshu University |
Principal Investigator |
小沼 義治 信州大学, 工学部, 教授 (40020979)
|
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
菱田 美加 長野県工業試験場, 第一素材部, 技師
木内 光宏 長野計器製作所(株), 技術部, 部長
上村 喜一 信州大学, 工学部, 助教授 (40113005)
|
Keywords | 炭化珪素 / 半導体薄膜 / センサ / プラズマ気相成長 / ピエゾ抵抗効果 / 多結晶 |
Research Abstract |
炭化珪素薄膜を用いた高感度且つ耐環境性に優れた圧力センサを開発するため、従来用いられて来たプラズマCVD装置の改良を行うとともに、試作のための作成条件を整え、以下の結果を得ている。 1.結晶粒径が大きく、強い配向性を示す多結晶炭化珪素薄膜を絶縁基板上に再現性良く生成する方法を確立するとともに、素子として具備すべき直線性、感度(抵抗)ー温度特性の改善には適量の不純物添加(特に硼素)が効果的であることを示した(電気学会論文誌、109A、p.219)。 2.形成した多結晶炭化珪素薄膜の評価方法として、X線回折、オ-ジェ電子線スペクトロスコピ-、電子線回折の手段を用い、結晶構造、化学量論的組成比を決定し、再現性ある薄膜作成の条件を見出す資料とする事ができた(センサと材料ー英文ー投稿中)。 3.高感度を維持し薄膜の特徴を生かすため感圧部分に絶縁物を介在させた金属製ダイヤフラムから成る素子(SOISS型)を用いているが、金属製ダイヤフラムと多結晶炭化珪素薄膜との間に介在させる高信頼性絶縁膜として、高靱性、高強度、耐熱性を有するイットリア添加安定化ジルコニア薄膜(YSZ)の作成と特性評価についても研究を進め、このYSZ薄膜がバッファ層として効果のあることを見出した(電気学会論文誌、109、p.318)。 4.その他の研究成果として、光CVDによる窒化珪素薄膜の形成、SiC薄膜を用いたHBTの動作確認、プラズマCVD法によるGe薄膜及びプラズマCVD法によるSi薄膜を用いた圧力センサへの応用等があり、高感度センサを実用化、量産化するための基礎的資料とすることができた。
|
Research Products
(11 results)
-
[Publications] 小沼義治,上村喜一,長畦文男,関広之,手塚恭一: "プラズマCVD法による多結晶SiC薄膜" 電気学会論文誌A. 109ーA. 219-226 (1989)
-
[Publications] 小沼義治,外村武彦,山川博,中尾真人,上村喜一: "Y_2O_3添加ZrO_2スパッタ膜の作製と評価" 電気学会論文誌A. 109ーA. 318-322 (1989)
-
[Publications] 小沼義治,上村喜一,長畦文男,関広之,木内光宏,蔡浩一: "プラズマCVD法による多結晶Si薄膜" 電気学会論文誌A. 110ーA. (1990)
-
[Publications] Y.Onuma,H.Seki,K.Kamimura,T.Homma and C.H.Yi.: "Piezoresistive Elements Using Polycrystalline Silicon Carbide Films" Technical Digest of the 8th Sensor Symposium. Proceedings. 41-44 (1989)
-
[Publications] Y.Onuma,H.Yamakawa,T.Tomura,K.Kunugi and K.Kamimura: "Yttria Stabilized Zirconia Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering Method" Proceedings of 1989 Japan International Electronic Manufacturing Technology Symposium. Proceedings. 34-37 (1989)
-
[Publications] K.Kamimura,N.Kimura,S.Miyashita,Y.Onuma and T.Homma: "Pressure Sensor Using Polycrystalline Germanium Films Prepared by Plasma Assisted CVD" Proceedings of 1989 Japan International Electronic Manufacturing Technology Symposium. Proceedings. 209-212 (1989)
-
[Publications] Y.Onuma,S.Miyashita,Y.Nishibe,K.Kamimura and K.Tezuka: "Thin Film Transistors Using Polycrystalline SiC" Springer Proceedings in Physics,Amorphous and Crystalline SiC and Related Materials. 43. 212-216 (1989)
-
[Publications] K.Kamimura,Y.Nishibe and Y.Onuma: "SiC/Si HBT Using Polycrystalline SiC Layers Prepared by Electron Beam Evaporation" Springer Proceedings in Physics Amorphous and Crystalline SiC and Related Materials. 43. 207-211 (1989)
-
[Publications] Y.Onuma,K.Kamimura,M.Nakao,K.Kunugi and M.Kubota: "Y-Ba-Cu-O Thin Films Formed on Alumina Ceramic Substrates Coated with YSZ." Proceedings of the 1st International Conference on Electron Materials. Proceedings. 63-66 (1989)
-
[Publications] K.Kamimura,Y.Takase and Y.Onuma: "Surface Nitridation of InP with a N_2 plasma" Applications of Surface Science. 41. 443-446 (1989)
-
[Publications] 丹野,伊東,上村,小沼,他7名: "エレクトロニクスを支える材料" 森北出版株式会社, 114 (1989)