2002 Fiscal Year Annual Research Report
Project/Area Number |
01J00978
|
Research Institution | Osaka University |
Principal Investigator |
内藤 泰久 大阪大学, 基礎工学研究科, 特別研究員(DC2)
|
Keywords | 走査型トンネル顕微鏡 / 非接触原子間力顕微鏡 / 単一分子デバイス / 電荷移動力顕微鏡 / 1次元分子構造 / 局所電子状態測定 |
Research Abstract |
これまで表面のナノスケール局所状態密度測定は走査型トンネル顕微鏡(STM)によって実現されてきた。しかし、STMは基板に導電性が必要で、導体と絶縁体が混在したデバイス(特にナノスケールのもの)への適応が非常に困難であった。そこで私は、絶縁体上でも測定可能な非接触原子間力顕微鏡(NC-AFM)の技術を応用し、先述のナノスケールのデバイス応用を目指して、金属絶縁体混合表面上での試料のナノスケール局所状態密度の評価手法を新たに発明し、実用化した。この手法は状態密度に依存する力である電荷移動力を、周波数検出により高感度に測定することにより実現し、試料の局所的な分光や状態密度の画像化を可能にした。このNC-AFMを応用した力の検出と、ダイナミックモード原子間力顕微鏡の技術を組み合わせる新たな測定手法により、測定試料の形状を評価しながら各点における局所状態密度を同時に測定することが可能となった。この成果により、簡単なデバイス構造を想定した、絶縁体基板上に展開したナノスケール分子構造の局所状態密度測定も成功した。また私は、この分光法として電荷移動力分光、状態密度の局所画像化に関して電荷移動力顕微鏡と命名し、特許を出願中である。(特願2002-245810)また、この研究に関して現在論文を執筆中だが、本研究発表に対して6月にスェーデンにて開催された"NAN07/ECOSS21"という学会において若手研究者の奨励賞であるNANO/ECOSS賞を受賞した。
|