ガン・ダメ-ジ・フリ-電子顕微鏡照射系の試作

1990 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 02559011
• Research Institution: Hiroshima University
• Principal Investigator: 下村 義治 広島大学, 工学部, 教授 (40033831)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 新井 善博 日本電子株式会社, 電子光学機器開発部, 課長 ; 向田 一郎 広島大学, 工学部, 助手 (70209980) ; 福島 博 広島大学, 工学部, 助手 (70156769)
• Keywords: ガン・ダメ-ジ / 電子顕微鏡 / 照射系 / 変位カスケ-ド損傷 / イオン照射損傷

Research Abstract

電子顕微鏡の電子銃部にて発生する負イオンは加速されて集束レンズ部及びシボリを通過して試料室の電子顕微鏡金属試料にほぼ一様なイオン束で降りそそぐ。これらのイオンのエネルギ-は最低200keVにもなるので中性子照射した試料の変位カスケ-ド損傷の重要なエネルギ-領域に位置しており損傷形成基礎過程の研究の妨げになる。そこで、本研究では電子顕微鏡の電子線の経路を偏向コイルをセットして曲げてイオンはその質量が大きいのでコイルが生ずる磁場では曲がらない性質を利用してイオンを分離して取り去る装置を電子顕微鏡に設置する試みを行った。イオンはLaB_6フイラメントを電子銃に装置するとWフィラメントの場合より多数発生する事が明らかになったのでフィラメント近傍にて発生していると推測されるが、電子銃部のプラズマ状態の残留ガスが関係している可能性もあるので、その両方を除去するための装置を製作した。一つのイオン除去装置は電子銃を光軸に対して数度傾斜するものを最初に計画したが、耐振動性と安全性から問題がある事を考慮して、電子銃下部にて電子線経路を最大1mm平行シフトさす事が出来る装置を製作した。さらにもう一つは試料の上部の試料室内において、電子線をくの字型に曲げてその中心部にイオンのストッパ-板を挿入する方式を設計してこの二つの装置を我々が現有するJEMー2000ES型電子顕微鏡に設置できる様に本電子顕微鏡の製作会社に所属している分担者にて設計し製作を当会社に依頼した。本年度は装置の製作を完了して製作会社にて同種の電子顕微鏡に装備テスト後に本研究代表者の広島大学・工学部の我々の電子顕微鏡に装備して初期テストを行った。次年度はこれらの装置の操作性の改良とこの装置を装備した電子顕微鏡を利用しての極低温中性子照射した金属試料のクライオ・トランスファ-電子顕微鏡観察実験を行い、この装置の有効性を実証する。

Research Products

• [Publications] 下村 義治: "Group formation of interstitial clusters in DーT neutronーirradiated Au,Ag and Cu examined by improved cryotransfer TEM" Proc.of ICFRMー5 (international conference on fusion reactor materialsー5,Maimami,Nov.1991. (1991)
• [Publications] 向田 一郎: "Small dot TEM images appeared during electronーillumination of nickel" J.Electron Microscopy.