2002 Fiscal Year Annual Research Report
縦型構造による高速動作有機トランジスタに関する研究
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02F00327
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Research Institution | Chiba University |
Principal Investigator |
工藤 一浩 千葉大学, 工学部, 教授
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
CHENNEMKERIL Joseph Mathew 千葉大学, 工学部, 外国人特別研究員
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Keywords | 静電誘導トランジスタ / 有機半導体 / 有機薄膜トランジスタ / 真空蒸着膜 / 鉛フタロシアニン / ショットキーゲート / 分子電子デバイス / 高速トランジスタ |
Research Abstract |
有機静電誘導型トランジスタ(有機SIT)は、低動作電圧、高動作電流という特長を有するため、様々な応用が期待されている。有機SITの高性能化をめざし、ヘテロ積層構造の層膜厚などのデバイス構造設計、不純物ドーピング、作製プロセスの最適化を行うことが本研究の目的である。 本年度は、まず、Au(ドレイン)/CuPc(半導体活性層)/Al(ゲート)/CuPc(半導体活性層)/ITO(ソース)構造素子における、ゲート電極構造およびCuPc半導体活性層の膜厚の最適化を行った。ゲート電極に設けるチャネルに相当するスリット状構造は、蒸着マスクと基板との間に挿入するスペーサー、蒸着源と基板との距離、および、複数の蒸着源の間隔を調節することによって、最適な構造を制御性よく作製できることを確認した。また、ゲート電極構造を固定し、上下のCuPc層の膜厚をそれぞれ80から100nmの範囲で組み合わせを変えて、素子のトランジスタ静特性を比較したところ、この範囲で特性に予想以上の大きな変化が見られることが確認された。Au/CuPc(80nm)/Al(20nm)/CuPc(90nm)/ITO構造の素子が最も良い特性を示し、ゲート電極に正の電圧を少し加えることによって、ソース・ドレイン電流の大きな変調が得られた。上層あるいは下層のCuPc膜厚をここから増加させると急激に特性が劣化した。 現在、ゲートAl層の膜厚の素子特性への影響を調べる実験が進行中である。さらに、気相からCuPc層の特定領域へ選択的な不純物拡散を行い、素子特性を制御する実験の準備も行っている。
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Research Products
(1 results)