2002 Fiscal Year Annual Research Report
表面ディールス・アルダー反応による半導体表面の化学修飾
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02F00606
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
上田 寛 東京大学, 物性研究所, 教授
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
HOSSAIN M. Z. 東京大学, 物性研究所, 外国人特別研究員
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| Keywords | シリコン / 表面 / 走査トンネル顕微鏡 / トリメチルアミン / アンモニア |
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| Research Abstract |
1.低温(70〜80K)におけるSi(100)表面を走査トンネル顕微鏡(STM)で研究し,長年にわたり論争が続いていた表面のC-欠陥について,新しいモデルを提案した。
2.Si(100)とルイス塩基分子との相互作用をSTMを用いて研究した。トリメチルアミン分子は100%選択的にダウンダイマー原子に吸着することを明らかにした。また,アンモニア分子はダイマー列にそって一次元島状に吸着していくことを見出した。
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