2002 Fiscal Year Annual Research Report
Project/Area Number |
02F00706
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Research Institution | Meisei University |
Principal Investigator |
鷹野 致和 明星大学, 理工学部, 教授
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
PAVELKA Jan 明星大学, 理工学部, 外国人特別研究員
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Keywords | 電流ゆらぎ / 1 / fゆらぎ / InGaAs / InAlAsヘテロ接合 / Hooge係数αH / RTSゆらぎ / MOSFET / 表面状態密度 / プリアンプ |
Research Abstract |
9月に来日して以来、電子デバイス作成プロセスおよび物理評価技術、電気特性評価、温度特性評価方法、1/fゆらぎ解析技術を習得するとともに、電子デバイスの基本構造であるMOSFET、ホールデバイスの雑音特性を測定し、低周波ゆらぎ特性を明らかにしつつある。MOS構造に表れるRTS雑音の温度特性、量子井戸構造のメモリー特性とゆらぎの関係を明らかにし、さらにヘテロ構造の低温におけるゆらぎ電力と移動度との関係を明らかにして、半導体における輸送現象と1/fゆらぎとの関係を明らかにするのが目的である。ヘテロ接合に関しては高周波FET用組成であるInGaAs/InAlAsヘテロ接合構造でホール効果素子を作製し、移動度および電子濃度の温度依存性を20-300Kの間で明らかにし、ゆらぎ振幅との関連を明らかにした。真性半導体のゆらぎ係数αHの温度依存性を実験的に求め、理論的に予測される値との比較を行った結果、従来の理論結果との比較にくらべて定量的に一致する結果を得、ゆらぎ研究分野での80年の疑問を明らかにする結果を得た。同ヘテロ接合の移動度、電子濃度については量子力学で理論的に予測される値も導出し、実験値との比較も行った。さらにP型InGaAsの結晶成長も試み、P型とn型間での相違についても実験的に確かめる予定である。これらの結果は8月に開催される国際会議で発表する予定である。さらに、表面状態密度が少ない最近の微小ゲートMOSのRTSゆらぎを測定する準備を整え市販素子でのテストを試みている。RTSゆらぎはnVオーダーの極微小信号であるため、信号増幅するため感度の高いプリアンプが必要でありより高度な測定が必要である。そのための測定システムの高感度化を検討中である。 積層コンデンサー、微小固定抵抗の電流ゆらぎ、非線形性、故障原因、局部絶縁破壊との関連については、従来の研究結果を専門誌に投稿した。
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Research Products
(4 results)
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[Publications] J.Sikula: "Charge Carriers Transport and Noise of Niobium Capacitors"Proc.of Capacitors and Resistors Symposium CARTS Europe. October, Nice. 13-17 (2002)
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[Publications] J.Pavelka: "Noise in Passive Components -Resistors and Capacitors"Proceedings of the 13th Symposium on Advanced Materials in Meisei University. 4・3. 110-115 (2002)
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[Publications] H.Tanizaki: "Electron Mobility, Carrier Concentration and Noise Parameter of n-GaN -Numerical Analyses by Quantum Transport"Proceedings of the 13^<th> Symposium on Advanced Materials in Meisei University. 4・3. 132-135 (2002)
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[Publications] J.Pavelka: "Noise and Non-linearity in Passive Components as Reliability Indicators"Proceedings of the 17th Forum of Japanese Association for Science, Art and Technology of Fluctuations. Tohoku University. 5-6 (2002)