1993 Fiscal Year Annual Research Report
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03402052
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| Research Institution | TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY |
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Principal Investigator |
橋爪 弘雄 東京工業大学, 工業材料研究所, 教授 (10011123)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
坂田 修身 東京工業大学, 工業材料研究所, 助手 (40215629)
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| Keywords | CaSrF_2エピタキシャル結晶 / YBCOアナログ超伝導薄膜 / As吸着シリコン表面 / マイクロラフネス / X線回折法 / シンクロトロン放射 / 表面 / 界面構造 |
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| Research Abstract |
1.GaAs(111)基板上に育成したフッ化物エピタキシャル薄膜CaSrF_2およびその界面構造に関して研究成果をまとめ、Surface Science誌に論文を発表した。
2.SrTiO_3(001)基板上に成長させた超薄EuBaCuOおよびGdBaCuOエピタキシャル単結晶をX線定在波法で調べ、両物質の界面原子構造について以下の知見を得た。すなわち、SrTiO_3の表面にTiO_2面が出ている場合には、超伝導物質の第1成長面はBaO面であり、SrTiO_3の表面がSrO面の場合には、第1成長面はCuO面またはCuO_2面である。この他の界面構造は実験データを説明しない。Yのイオン半径はEuおよびGdのイオン半径に非常に近いので、YBaCuOの界面構造も同様であると考えられる。以上の成果をまとめ、Physical Review誌に論文を発表した。
3.As吸着Si(111)表面について世界で初めて超高真空条件で微小入射角X線定在波実験をシンクロトロン放射を用いて行ない、AsがSi表面の最上層Si原子を置換し、3配位の高対称位置を占めていること、Asは乱れの少ない1×1構造を作っていることを確認した。成果をPhysical Review誌に論文発表した。
4.As吸着Si(100)表面について微小入射角X線定在波実験を行なった。試料に問題があり、まだ成果は得られていない。
5.高度な物理化学研磨を施した単結晶Si(100)表面のミクロな凹凸(rms5〜20A)をX線フレネル反射法で決定し、この方法が定量性、非破壊性において他の測定法より優れていることを明らかにした。研究成果をJpn.J.Appl.Phys.誌に原著論文として発表した。
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[Publications] Takaki Niwa: "Structure of fluoridel GaAs(111)heteroepitaxial interfaces" Surface Science. 282. 342-356 (1993)
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[Publications] M.Nakanishi: "Structure of the growth interface of r-Ba-Cu-O analysis on SrTiO_3(001)Substrates" Physical Review B. 48. 10524-10529 (1993)
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[Publications] Osami Sakata: "In-plane structure of arsentic deposited on the Si(111)Surface Studied with the grazing-angle x-ray standing-wave method" Physical Review B. 48. 11408-11411 (1993)
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[Publications] Osami Sakata: "X-ray evaluation of microroughness of mechanochemically polished silicon surfaces" Jpn.J.Applied Physics. 32. L616-L619 (1993)
