2003 Fiscal Year Annual Research Report
マイクロマシンとULSI集積回路の静電気放電からの保護対策の検討と実現
Project/Area Number |
03F00793
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Research Institution | The University of Tokyo |
Principal Investigator |
藤田 博之 東京大学, 生産技術研究所, 教授
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
CAILLARD Benjamin 東京大学, 生産技術研究所, 外国人特別研究員
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Keywords | MEMS / Electrical Over Stress (EOS) / 静電気破壊 / ULSIとの融合 / 保護回路 |
Research Abstract |
本研究は、マイクロマシンとULSI回路を融合して高度な機能を実現する「集積化MEMS」の信頼性を向上させることを目的に、集積化MEMSを破壊する最も重要な原因である、静電気破壊ならびに静電気オーバーストレス(EOS)現象を理解し、一般化可能な保護回路設計指針を構築することを目的としている。実際のマイクロアクチュエータの信頼性を向上させるという実用的な方向と、得られた知識を一般化するという理論的な方向との両面から研究を遂行している。 平成15年度の成果は以下に示すとおりである。 ・MEMSのEOS、静電気破壊に関する文献調査を行い、MEMSについては静電気破壊とその信頼性向上対策に関する発表がほとんど行なわれていないという事実を確認した。 ・並列マイクロエアバルブ型アクチュエータを例にとり、EOSに起因すると思われる破壊モードの観察に成功した。 ・上記観察の結果をもとに、EOSからMEMS構造を保護するためのマイクロ構造を考案し、プロセス用フォトマスクを作製し、マイクロアクチュエータの作製プロセスを開始した。 ・本研究費の補助により、EOS観察を容易に、システマティックに行なうことを可能とする、電気的・工学的測定テストベンチ環境を構築した。
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