2004 Fiscal Year Annual Research Report
有機金属イオンビーム成長法による炭化ケイ素ナノ結晶の自己組織化成長機構の解明
Project/Area Number |
03J01530
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Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
Principal Investigator |
松本 貴士 独立行政法人産業技術総合研究所, 環境化学技術研究部門, 日本学術振興会特別研究員(PD)
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Keywords | 炭化ケイ素 / ナノ結晶 / 自己組織化 / イオンビーム / 有機金属 |
Research Abstract |
有機金属イオンビーム成長法は、有機ケイ素化合物:ジメチルシラン(siH_2(CH_3)_2)を原料として分子構造中にSi-C結合を有する有機金属イオン:メチルシリセニウムイオン(SiCH_3^+)をプラズマ中で生成し、この有機金属イオンビームを前駆体として炭化ケイ素(SiC)薄膜の結晶成長を行う手法である。 有機金属イオンビーム成長法は、シリコン基板上への良質なSiCヘテロエピタキシャル膜の成長、従来手法に比べて低温でのSiC結晶成長が可能である。また、本手法によりSiCナノ結晶を自己組織化成長させることが出来得ることが分かっている。その中で、有機金属イオンビームと固体表面の反応過程の解明はSiC結晶成長の制御を行う上で重要な課題であるが、それについての議論はまだ十分には行われていない。 本研究課題の目的は、有機金属イオンビーム成長法によりSiC薄膜を作製し、SiCナノ結晶が自己組織化成長するのに要求される条件を調べることにある。本年度では、エネルギーが単色的かつ揺らぎが小さい有機金属イオンビームを用いてSiCナノ結晶の成長条件について調べた。自己組織化成長するSiCナノ結晶は基板であるシリコン表面原子の配列に強い影響を受けており、基板材料の選定が重要であることが分かった。また、成長温度を変化させることでSiCナノ結晶の形状を制御出来得ることを確認した。
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Research Products
(4 results)