2003 Fiscal Year Annual Research Report
軟X線位相差顕微鏡の開発による多層膜表面・界面の高分解能分析
Project/Area Number |
03J02033
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Research Institution | Himeji Institute of Technology |
Principal Investigator |
浜本 和宏 姫路工業大学, 工学研究科, 特別研究員(DC1)
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Keywords | 軟X線位相差顕微鏡 / EUVリソグラフィー / 欠陥検査 / 位相欠陥 / ミテウ干渉計 |
Research Abstract |
本研究では6インチ角ガラスマスク基板上の多層膜欠陥の高速,かつ高分解な検査法として,位相差極端紫外顕微鏡を開発し,マスクパタンを直接拡大観察し,かつ位相欠陥を同時に観察することを狙いとしている. 予備検討として進めてきたEUV顕微鏡での観察で.250nmの線幅をもつデバイス用マスク(吸収体にはTaBN)が観察できた.これは露光装置の縮小率が1/5なので,転写後では50nmの線幅に相当する.TaBNとCrを吸収体とするマスクでの解像度比較を進めた.Crに比べ,TaBNの表面ラフネスは小さく,吸収体表面での散乱が抑えられるため,解像度も向上することが明らかになった.従来,吸収体の面粗さは無視されると考えていたが,はじめてその影響を明らかにした. ニュースバルビームラインに開発する装置を設置する環境の整備を進め,とくに,(1)Schwarzchild光学系,(2)ミラウ干渉機構部の開発を進めた.(1)のSchwarzchild光学系はZerodurの凹凸ミラーとも形状精度0.4nm以下,粗さも0.2nm以下という極めて良好な性能のものを入手できた.現在d-gradedなMo/Si多層膜の製膜中である.(2)のミラウ干渉機構では,まず駆動系として1枚のPZTと静電容量センサでの非線形性の補償回路を設けたものを製作し,3nm±0.2nmのStep駆動を得,干渉制御の見通しを得ている.ビームスプリッターに使用されるMo/Si多層膜の成膜はスパッタ装置の故障等により遅れたが,これまでに13.5nmで61%(目標68%)を確認でき,またウエットエッチングの装置部品等を入手し,ビームスプリッター作りの見通しを得た.
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Research Products
(6 results)
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[Publications] T.Haga, H.Kinoshita, K.Hamamoto, S.Takada, N.Kazui, S.Kakunai, H.Tsubakino, T.Watanabe: "Evaluation of finished EUVL Mask using a Mirau Intergenometric Microscope"Japan, Journal, Applied, Physics. 42. 3771-3775 (2003)
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[Publications] K.Hamamoto, S.Takada, T.Watanabe, N.Sakaya, T.Shoki, M.Hosoya, H.Kinoshita: "Investigation of Contamination Removal from Finished EUVL Mask"Journal, Photopolym, Science, Techonology. 16,3. 395-400 (2003)
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[Publications] H.Kinoshita, T.Haga, K.Hamamoto, S.Takada, N.Kazui, S.Kakunai, H.Tsubakino, T.Shoki, M.Endo, T.Watanabe: "Actinic mask metrology for extreme ultraviplet lithography"Journal, Vacuum, Science, Techonology. B22(1). 264-267 (2004)
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[Publications] T.Watanabe, T.Haga, T.shoki, K.Hamamoto, S.Takada, N.Kazui, N.Kakunai, H.Tsubakino, H.Kinoshita: "Pattern Inspection of EUV Mask using a EUV Microscope"Proceeding, SPIE. 5130. 1005-1013 (2003)
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[Publications] T.Watanabe, K.Hamamoto, H.Kinoshita, H.Hada, H.Komano: "Resist outgassing characteristics in EUVL"Japan, Journal, Applied, Physics. (発表予定).
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[Publications] K.Hamamoto, T.Watanabe, N.Sakaya, M.Hosoya, T.Shoki, H.Hada, N.Hishinuma, H.Sugahara, H.Kinoshita: "Cleaning of EUVL masks and optics using 172-nm and 13.5-nm radiatio"Japan, Journal, Applied, Physics. (発表予定).