2003 Fiscal Year Annual Research Report
半導体表面上IIIIV族金属ナノ構造の低次元ダイナミクス
Project/Area Number |
03J11016
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Research Institution | The University of Tokyo |
Principal Investigator |
守川 春雲 東京大学, 大学院・理学系研究科, 特別研究員(DC2)
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Keywords | 電荷密度波(CDW) / CDW-格子ロッキング / ソリトン / フェルミ面マッピング |
Research Abstract |
1.In/Si(111)-4x1擬一次元金属表面は120K程度の低温において8x'2'表面へと相転移する。今回、この表面に対して、室温及び100Kにおいて角度分解光電子分光(ARPES)測定を行い、低温における金属バンドの明確なfoldingを観測した。それゆえ、この表面上で起こる8x'2'構造への相転移は金属絶縁体転移であり、8x'2'低温相は電荷密度波(CDW)相であるという描像が支持された。また、この表面を6KにおいてSTM観察し、占有、非占有両状態の対応がそれぞれのCDW鎖で異なり、2通りの対応があることを見いだした。これは整合CDW系に固有な「CDW-格子ロッキング」によって解釈される。また、互いに逆位相のCDWの境界部分が6Kにおいても高速で動き回る様子を観測した。これは整合度2のCDW系についてSu, Schrieffer, Heegerによって予言されている高移動度ソリトンとして説明される。次に、この表面に不純物としてごく微量のInを追加蒸着した表面に対してARPES、STM、及び内殻準位光電子分光の測定を行った。その結果、室温においても不純物によってCDWが形成されること、さらに、この表面は75Kまでに8x'2'転移とは別の相転移を起こすことを見いだした。 2.VG-ADES400光電子アナライザー及びステッピングモーターを用いたフェルミ面マッピングシステムを開発のため、モーターコントロール及び光電子強度測定プログラム、ヘリウム冷却型サンプルホルダーの作成を行った。
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Research Products
(2 results)
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[Publications] I.Matsuda, H.Morikawa, C.-H.Liu, S.Ohuchi, S.Hasegawa, T.Okuda, T.Kinoshita, C.Ottaviani, A.Cricenti, M.D'angelo, P.Soukiassian, G.LeLay: "Electronic evidence of symmetry breakdown in surface structure"Physical Review B. 68. 085407 (2003)
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[Publications] C.Liu, I.Matsuda, H.Morikawa, H.Okino, T.Okuda, T.Kinoshita, S.Hasegawa: "Si(111)-v21xv21-(Ag+Cs) surface studied by scanning tunneling microscopy and angle-resolved photoemission spectroscopy"Janan.J.Appl.Phys. 42. 4659 (2003)