2004 Fiscal Year Annual Research Report
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04F04348
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
小田 俊理 東京工業大学, 量子ナノエレクトロニクス研究センター, 教授
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
MOHAMMED Kharafalla 東京工業大学, 量子ナノエレクトロニクス研究センター, 外国人特別研究員
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| Keywords | ナノ結晶シリコン / 量子ビット / 量子情報デバイス / 分散溶液 / ドット集積化 / 分子テンプレート / 準分子状態 / コヒーレント相互作用 |
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| Research Abstract |
シリコン量子ドットの粒径(10nm以下)と粒子間隔(±1nm)を制御する新材料「ネオシリコン」をベースとして、量子情報処理の基本素子である量子ビットをナノシリコンマルチドット構造で形成するための基盤技術構築を目指し、シリコンナノドットの高濃度分散溶液技術と、電子ビーム直接描画による間隔30nm以下のマルチナノコンタクト電極作製技術を組み合わせたボトムアップ・トップダウン融合型ナノデバイス作製技術を検討した。また、ナノ結晶シリコンドットの規則配列構造実現の手段として、有機分子テンプレート上へのドット分散溶液適用の可能性を検討し、バクテリア蛋白質表面層(オーストリア自然資源&生命科学大学ナノバイオセンター共同研究)と、PTCDI/メラミンマクロネットワーク(英国ノッティンガム大学物理・化学学部共同研究)の適用可能性を見出した。更に、2個〜10個のナノ結晶シリコンドットクラスタを能動層とする量子マルチポイントコンタクトトランジスタ(QMPCT)において、電子間静電相互作用と量子力学的コヒーレント相互作用を評価する手段として、高速マルチパルスを用いた結合シリコン量子ドット内電荷の時間応答を評価する手法を検討した(英国ケンブリッジ大学キャベンディッシュ研究所マイクロエレクトロニクス研究所および米国ウィスコンシン・マディソン大学との共同研究)。
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