2006 Fiscal Year Annual Research Report
Project/Area Number |
05F05056
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Research Institution | University of Tsukuba |
Principal Investigator |
舛本 泰章 筑波大学, 大学院数理物質科学研究科, 教授
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
PAL Bipul 筑波大学, 大学院数理物質科学研究科, 外国人特別研究員
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Keywords | InP / 量子ドット / 電子スピン / 核スピン / InAs / ナノワイヤ / 励起子 / 量子井戸 |
Research Abstract |
<InP量子ドットにおける動的核スピン分極> InP量子ドットにおいて動的核スピン分極がおこると、電子スピンが感じる有効外部磁場B_<eff>は外部磁場Bと有効核磁場塚の和としてB_<eff>=B+B_Nと表わされる。右(左)円偏光励起下で2個の電子と1個の正孔からなるトリオンの発光の円偏光度を外部縦磁場Bの関数として測定すると、±B_N(励起強度40mWのとき〜4.5mT)で負の円偏光度が半値半幅15mTのLorentz型で鋭く減少する磁場依存性が得られる。右(左)円偏光で負の円偏光度が最小になる外部磁場が-(+)にシフトすることから、有効核磁場BNを相殺する外部磁場のとき、負の円偏光度が最小になり、核スピンのゆらぎによる核磁場が15mTであるとして半値半幅15mTのLorentz型の減少は理解できる。光照射強度に比例して有効核磁場BNは線形に増加し、励起強度の強い50mWでも、B_N〓6mTであることは、InP量子ドットの弱い超微細相互作用を示す。さらに核スピンのラーモア才差運動は外部磁場がゼロの極限で1μsになることを見出した。 <InP/InAs/InPコアマルチシェル型ナノワイヤの光物性> InP/InAs/InPコアマルチシェル型ナノワイヤはInPナノワイヤに内包されたInAs層が量子井戸となり、その層厚が1原子層ずつ変化するのに応じて発光波長が離散的に変化する。準共鳴励起下で数nsまでの時間領域をストリークカメラで数十nsまでの時間領域を単一光子係数法で発光の時間依存性を測定した。数nsの時間領域では発光の重心が時間と共にゆっくりと低エネルギー側にシフトしていき、量子井戸中の低エネルギー領域へ励起子が移動していく過程が観測された。発光は数十nsまで非指数関数型の裾をひき、1〜3原子層量子井戸では、電子の波動関数がInP層に大きく広がっていると考えられる。
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Research Products
(5 results)