2005 Fiscal Year Annual Research Report
分子回路工学を目指したπ共役系高分子ワイヤのナノギャップ電極接続技術の開発
Project/Area Number |
05F05382
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Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
Principal Investigator |
彌田 智一 東京工業大学, 資源化学研究所, 教授
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
LI Jingze 東京工業大学, 資源化学研究所, 外国人特別研究員
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Keywords | ナノギャップ電極 / 電気化学 / 光化学 / マイクロギャップ電極 / フォトリソグラフィー / ブロック共重合体 / テンプレート |
Research Abstract |
平成17年度(5ヵ月間)は、主にナノギャップ電極作製における最適な実験装置のセットアップを行った。以下に検討した2種類のアプローチを示す。 1)電気化学的手法 はじめに、従来のフォトリソグラフィーによってマイクロギャップ電極を作製した。金属電極素材には、AuおよびPtを用いた。約20□mの電極間ギャップを作製し、動作確認を行った。更に、同様の手法により、5□m程度の小さな電極ギャップの作製にも成功した。金属電極厚はおよそ150ナノメートルとした。電気化学的手法によるナノギャップ電極の作製においては、漏出イオン電流を減らすために厚さ1□mの電極層により、絶縁層ギャップ領域以外(面積:25マイクロメートル×20マイクロメートル)の全ての表面を被覆した。ここでは、赤外光領域において透明な非ドープのシリコンウエハおよび可視光から紫外光領域まで高い透明性を示す石英ガラスの2絶縁基板を利用した。両基板上の電極ギャップは、固定される分子ワイヤの分光学的特性評価に応用可能である。 作製したマイクロギャップ電極を用い、電解めっき法(Au、Pt、Ag、その他を含む)によるナノギャップ電極の作製を行った。 2)光化学的手法 今研究期間において、ナノギャップ電極の新規作製方法を確立した。ブロック共重合体ナノ相分離構造テンプレートのナノドメインを反応場として利用し、ドメイン内における銀イオンの光化学還元による金属銀ドットの基板配列制御を試みた。これまでに、ブロック共重合体の親水性ナノドメインが金属陽イオンの還元反応場として利用できることを予備的に確認した。
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