2005 Fiscal Year Annual Research Report
超低速分子イオンを用いた極浅不純物ドープ層のサブナノレベル深さ分析
Project/Area Number |
05J09876
|
Research Institution | Osaka University |
Principal Investigator |
文後 卓也 大阪大学, 大学院・工学研究科, 特別研究員(DC1)
|
Keywords | 低速イオン / スパッタ深さ分析 / オージェ電子分光法 / 深さ分解能 / スパッタリング収率 / 選択スパッタリング / GaAs / AlAs超格子標準試料 |
Research Abstract |
本研究では,超低速イオンと固体表面との相互作用を明らかにするとともに,得られた知見をもとにして,サブナノレベルの深さ分解能での半導体デバイスのスパッタ深さ分析技術の確立を目指している。本年度は,スパッタ深さ分析用GaAs/AlAs超格子標準試料へ,従来からスパッタエッチングに用いられているArイオンを超低エネルギーで照射してオージェ電子分光法(AES)スパッタ深さ分析を行い,深さプロファイルを測定して深さ分解能等の入射エネルギー依存性を調べた.得られた知見は以下の通りである. 1.イオンの入射角が試料表面垂直方向から約50度の場合,イオンの入射エネルギーを1000eVから200eVへ低下すると,深さ分解能が入射エネルギーの1/2乗に比例して向上する. 2.入射エネルギーが100eVの場合,AlAs/GaAs界面において深さ分解能の著しい劣化が起こる. 3.100eVで見られる深さ分解能の劣化は,AlAsとGaAsのスパッタリング収率の違いとAlAsにおけるAsの選択スパッタリングという,低速イオン特有のスパッタリング現象により誘起されている. 4.入射角度を70度にすることで,入射角50度で見られた100eVでのスパッタリング収率の差と選択スパッタリングが抑制され,深さ分解能が大幅に向上する。 5.GaAs/AlAs超格子標準試料を用いた深さ分析における測定条件の最適化においては,特に低速イオンを用いる場合,低速イオン特有のスパッタリング現象を考慮する必要がある.
|
Research Products
(6 results)