1995 Fiscal Year Annual Research Report
水素終端シリコン表面における低温ヘテロエピタキシ-
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06402025
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
尾浦 憲治郎 大阪大学, 工学部, 教授 (60029288)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
綿森 道夫 大阪大学, 工学部, 助手 (80222412)
上田 一之 豊田工業大学, 工学部, 教授 (60029212)
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| Keywords | 表面水素 / イオンビーム / STM / エピタキシ- / 金属 / シリコン界面 |
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| Research Abstract |
我々は、既に水素で終端されたシリコン表面上では、金属薄膜のエピタキシ-が大きく影響される現象を見出したが、本研究ではそのメカニズムの解明を目的として、原子スケールのミクロな尺度での観察を進める計画である。そのため、本年度は以下の研究計画を実施した。
(1)実空間で局所的な情報を得ることができるSTMを用いて、水素終端表面における金属薄膜の形成初期過程および水素誘起クラスター形成過程に関して、多くの興味ある結果を得た。すなわち、Si(lll)表面上に水素を飽和吸着させた表面上にAgを蒸着させると、温度によって大きさの異なったAg(lll)のクラスターができること。そして、それは水素を飽和吸着させていない表面とは異なった結果になることである。このことから、Si洗浄表面上におけるAg原子の拡散と、水素終端表面上におけるAg原子の拡散に大きな違いがあることがわかり、メカニズムの解明の第1歩となりうるものである。金属をInに変えて、同様の実験を行った。
(2)原子状水素の他に、極めて微量の酸素も上記の現象に関与する可能性は完全には否定できない。そこで、あらゆる手法の中で酸素に対して最も感度の良いとされるESD法を用いて、微量酸素の検出についても研究を進め、ほぼ予定通りの進展があった。
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[Publications] 尾浦 憲治郎: "半導体表面における水素媒介エピタキシ-" まてりあ(日本金属学会会報). 34. 115-120 (1995)
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[Publications] K.Oura 他 4名: "Scanning tunneling microscopy observation of hydrogen-induced Ag oluster formation on the Si(lll) surfaces" J.Vac.Sci.Technol.A13. 1438-1442 (1995)
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[Publications] K.Oura 他 5名: "The initial stage of Pb thin film growth on Si(lll) surface studied by TOF-TCISS" Nucl.Instr.& Methods. B(印刷中). (1996)
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[Publications] M.Watamori 他 3名: "Backscattering Aralysis of Thin SiO_2 Films on Si using ^<16>O(α,α)^<16>O 3.045MeV Resonance" Nucl.Instr.& Methods. B(印刷中). (1996)
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[Publications] K.Ueda: "Highly Sensitive Detection of Oxygen from Si(lll)7×7 Surface by Time-of-Flight Type Electron Stimulation-Desorption Spectroscopy" Jpn.J.Appl.Phys.34. 1648-1651 (1995)
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[Publications] K.Ueda 他 2名: "Oxygen aclsorption study on Rh(100) surfaces by electron stimulated desorption" Jpn.J.Appl.Phys.34. 3662-3665 (1995)
