2006 Fiscal Year Annual Research Report
窒素ガリウム半導体量子ドットの形成技術と次世代ナノフォトニック素子に関する研究
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06F06110
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
荒川 泰彦 The University of Tokyo, 先端科学技術研究センター, 教授
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
NA Jongho 東京大学, 先端科学技術研究センター, 外国人特別研究員
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| Keywords | 半導体量子ドット / 次世代ナノフォトニック素子 / 有機半導体 |
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| Research Abstract |
半導体量子ドットは、半導体レーザーや光増幅器など既存の光デバイスの素子特性向上のみならず、量子情報に向けた単一光子発生器や、量子コンピューティングの量子ビットへの応用が期待されている。本研究では、窒化ガリウム半導体(GaN)量子ドット、新しい半導体材料である有機半導体を用いた次世代ナノフォトニック素子を目指して、これらの形成技術を確立すると共に、電子状態、光物性を評価する。GaN量子ドットは量子デバイスの高温動作など魅力的な特性を持つ。有機半導体トランジスタは、プラスチック基板上のフレキシブルデバイスや大面積デバイスへの応用が可能であり注目を集めている。まず、GaN量子ドットデバイス用ウェハの作製をおこなった。単一ドットを用いた量子情報デバイスに最適な低密度量子ドット、高品質半導体膜形成の成長条件を見出した。並行して、最近目覚しい進展を遂げている有機半導体を用いてトランジスタを作製、伝導特性の評価を行った。良質なトランジスタの作製に成功しており、次世代ナノフォトニック素子の開発へ向けた重要な進展を得た。
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