2006 Fiscal Year Annual Research Report
Project/Area Number |
06F06114
|
Research Institution | Kyushu University |
Principal Investigator |
中島 寛 九州大学, 産学連携センター, 教授
|
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
WANG Dong 九州大学, 産学連携センター, 外国人特別研究員
|
Keywords | 歪Si / SiGe / フォトルミネッセンス / 断面TEM / 平面TEM / 欠陥 |
Research Abstract |
本研究では、高品質かつ高い歪緩和率のSiGeが形成できる酸化濃縮法について、酸化濃縮過程で生成する欠陥の発生と歪緩和機構を解明し、歪緩和過程における欠陥の役割を明らかにし、高品質SiGe on Insulator基板形成の基礎技術を確立することを目指している。平成18年度に得られた成果は、以下の通りである。 (1)絶縁膜(SiO_2)上の薄膜SiGe層(100nm以下)を二波長励起PL法および断面TEMと平面TEMで評価する手法を確立した。 (2)BOX層140nm、SOI層70nmのSIMOKSOIウェーバ上にSiGeをエピタキシャル成長した。SiGe層のGe濃度は10%、初期膜厚は80、160、240nmの3水準とした。これらのウェーバから小片を切り出し、200℃から5℃/minの昇温率で昇温し、所定の温度で10分間保持した後、室温まで降温した。熱処理後、0.82、0.88、0.95、1.0eVに欠陥が関与したPL信号が検出された。これら信号は、アニール温度とSiGeの厚さに依存して大きく変化することを示した。 (3)酸化濃縮法における昇温過程での欠陥発生は、SiGe/SOI界面に界面転位がまず発生し、その後界面転位が部分転位に分解して積層欠陥が形成されることを示した。これらの知見を基に酸化濃縮過程で生成する貫通転位の発生機構を示した。
|
Research Products
(3 results)