2006 Fiscal Year Annual Research Report
強く結合したシリコン量子ドットの作製・評価と光・量子情報デバイスへの応用
Project/Area Number |
06F06128
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Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
Principal Investigator |
水田 博 東京工業大学, 大学院理工学研究科, 助教授
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
CHUANBO Li 東京工業大学, 大学院理工学研究科, 外国人特別研究員
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Keywords | 量子ドット / 量子コンピュータ / 先端機能デバイス / ナノ材料 / 半導体超微細化 |
Research Abstract |
SiGe多重量子井戸構造と微細加工技術を組み合わせた新たなトップダウン型結合シリコン量子ドット形成法を検討した。具体的には、SiとSiGe層の酸化速度の差を利用して、強く結合した2重シリコン量子ドット構造(縦型・横型)を制御性良く作製する手法を考案した。SiGe多重量子井戸構造作製にあたっては、武蔵工業大学総合研究所の白木教授との共同研究により分子線エピタキシー技術での作製準備を進めた。またこれと平行して、C.Li氏の出身大学である中国科学院半導体研究所との共同研究で、量子ドット構造を直接成長させる手法の検討も進めた。デバイス構造として、2重シリコン量子ドット構造を能動層とし、2つのサイドゲートを有する量子ポイントコンタクトトランジスタ(QPCT)を設計し、単電子モンテカルロ等価回路シミュレーションを用いて2重シリコン量子ドット間の電子間静電相互作用がQPCTのトンネル電流に与える影響について理論解析を行った。
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Research Products
(3 results)