2007 Fiscal Year Annual Research Report
強く結合したシリコン量子ドットの作製・評価と光・量子情報デバイスへの応用
Project/Area Number |
06F06128
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Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
Principal Investigator |
小田 俊理 Tokyo Institute of Technology, 量子ナノエレクトロニクス研究センター, 教授
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
LI Chuanbo 東京工業大学, 量子ナノエレクトロニクス研究センター, 外国人特別研究員
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Keywords | 量子ドット / SiGe / 量子ビット / 量子情報デバイス / 2重結合量子ドット / シミュレーション / CVD |
Research Abstract |
SiGe多重量子井戸構造と微細加工技術を組み合わせた新たなトップダウン型結合シリコン量子ドット形成法を検討した。具体的には、SiとSiGe層の酸化速度の差を利用して、強く結合した縦型2重シリコン量子ドット構造を制御性良く作製する手法を考案した。直径45ナノメートルの単電子アイランドの作製に成功した。また、SETSPICEモンテカルロシミュレーションにより結合量子ドットの電子輸送特性を理論解析した。 またこれと平行して、Ge量子ドットの特性をフォトルミネッセンス法で測定するデバイスを考案した。2重縦型結合Ge量子ドットが活性層になる。380ナノメートルの開口を持つAlマスクを用いて、レーザー光がGe量子ドットだけを励起するように設計した。 さらに、直径5〜20ナノメートルのGeナノワイヤの成長をAuナノコロイドを触媒核としたCVD法により行った。TEM観測により単結晶が得られていることを確認した。金触媒核の位置を制御することにより集積ナノワイヤ構造の作製が期待できる。
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Research Products
(6 results)