2007 Fiscal Year Annual Research Report
Project/Area Number |
06J03675
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Research Institution | Ritsumeikan University |
Principal Investigator |
武藤 大祐 Ritsumeikan University, 理工学研究科, 特別研究員(DC1)
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Keywords | InN / 転位 / インターミキシング / InGaN / p型 |
Research Abstract |
1. MgドープInNの結晶成長特性及び電気的特性評価に関する研究 InN系のLEDや半導体レーザ、高効率太陽電池などのデバイスを実現するには、p型のInNやInGaNなどが必要不可欠である。そこで本研究では、InNにMgドーピングを行い、p型InNの作製を目指した。C面のN極性InN及びA面InNにMgドーピングをした。ホール効果測定を用いて伝導性を評価した結果、すべての試料でn型を示した。これは、InNに表面電荷蓄積層があるため、その影響を強く受けn型を示したと思われる。そこで、ECV測定を用いて各試料のバルク内部の電気的特性を調べた。その結果、Mgを高濃度にドーピングした試料はp型を示唆する結果が得られた。透過型電子顕微鏡を用いてc面InNの結晶内部の転位を調べた結果、Mgのドーピング濃度が高くなるに従い、転位が増えることがわかった。 2. GaN/InN界面におけるInとGaのインターミキシングに関する研究 InN系デバイスを作製する上において、InN、GaN及びInGaNなどで形成するヘテロ界面が急峻であることが求められる。そこで、GaN/InN界面におけるInとGaのインターミキシングについて検討を行った。N極性InN上にInNの分解温度以下でGaNを堆積させた。そして、これら試料を、XRD測定を用いて評価した。その結果、堆積温度が高くなるに従い、In組成の高いInGaNが形成されることがわかった。この結果から、GaNの堆積温度が高くなるに従い、InとGaのインターミキシングが強く起こることがわかった。
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Research Products
(9 results)