2007 Fiscal Year Annual Research Report
低毒性の半導体量子ドット蛍光体の合成と高輝度フルカラー発光デバイスの作製
Project/Area Number |
06J09155
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Research Institution | Osaka University |
Principal Investigator |
野瀬 勝弘 Osaka University, 大学院・工学研究科, 特別研究員(DC1)
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Keywords | CuInSe_2 / CuInS_2 / 量子ドット / コア / シェル型ナノ結晶 / エレクトロスプレー堆積法 |
Research Abstract |
CuInS_2量子ドットの合成条件の検討と光学的性質 原料溶液を検討、最適化することにより、カルコパイライト型(もしくは閃亜鉛鉱型)のCuInS_2ナノ結晶の粒径を、反応時間により1.5nm〜3.5nmまで制御することに成功した。励起子の再結合に伴う光吸収の波長が結晶粒径に対応してシフトする様子が観測された。CuInS_2のナノ結晶の励起子エネルギーは、結晶粒径が1.5nmで2.25eVまで増大することが本研究で初めて示された。I-III-VI_2半導体量子ドットでフルカラーを実現するにはCuInS_2よりもバンドギャップが大きいCu(Ga_xIn_<1-X>)S_2混晶が適当であることが分かった。 コアシェル型ナノ結晶の作製 CuInS_2の結晶性の向上を図るためにZnSナノ結晶をコアとしたZnS/CuInS_2コア/シェル型ナノ結晶の合成を試みた。良質なZnSナノ結晶の合成方法を検討し、励起子による発光が観測されるほど良質なナノ結晶の合成に成功した。複合処理によって得られた試料からはCuInS_2ナノ結晶よりも発光波長が短波長へとシフトした。 エレクトロスプレー堆積法によるドットの堆積膜の作製 溶液の調製方法の最適化により、成膜時間が6時間でも安定して成膜できるようになった。 EL素子の作製 スパッタ条件の検討をした。スパッタ法およびエレクトロスプレー堆積法によって、glass/ITO/Al_2O_3/ドット層/Al_2O_3/Alを作製した。
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Research Products
(6 results)