2007 Fiscal Year Annual Research Report
シリコンナノチェイン構造における量子化された電荷蓄積と転送の制御
Project/Area Number |
07F07107
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Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
Principal Investigator |
小田 俊理 Tokyo Institute of Technology, 量子ナノエレクトロニクス研究センター, 教授
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
RAFIQ Aftab 東京工業大学, 量子ナノエレクトロニクス研究センター, 外国人特別研究員
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Keywords | シリコンナノチェイン / 単電子デバイス / クーロンブロッケード / 量子情報デバイス / 多重トンネル接合 / 微小電荷検出 / クーロン階段 |
Research Abstract |
シリコンナノチェインは、直径10ナノメートルのシリコンナノクリスタルが薄い酸化膜で隔てられて繋がった構造である。シリコンナノチェインの電気特性を測定したところ室温でクーロンブロッケードを観測できた。測定結果を解析するために、多重トンネル接合モデルでシミュレーションを行った。その結果ナノクリスタルと基板間の浮遊容量が、しきい電圧を決定する要因であることが明らかになった。浮遊容量が大きいときは、ソースドレイン電圧の大部分が最初のナノクリスタルに掛かることが分かった。また、トンネル接合抵抗のランダムな分布が明瞭なグーロン振動をもたらしていることが分かった。60%のばらつきが測定値を最も良く再現した。 ケンブリッジ大学工学部で作製したナノチェインと東工大で作製したナノワイヤの特性の比較も開始している。
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Research Products
(6 results)