2007 Fiscal Year Annual Research Report
強誘電体ゲート有機トランジスタの不揮発性メモリ応用に関する研究
Project/Area Number |
07F07111
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Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
Principal Investigator |
石原 宏 Tokyo Institute of Technology, 大学院・総合理工学研究科, 教授
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
AKHTARUZZAMAN 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 外国人特別研究員
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Keywords | 有機半導体 / 有機強誘電体 / 不揮整性メモリ / フレキシブル / ペンタセン / C-V特性 / XRD / 安定性 |
Research Abstract |
本研究では、強誘電体としてポリビニリデンフルオライドなどの有機強誘電体を用いて、有機強誘電体/有機半導体ゲート構造を形成し、良好な記憶保持特性を得ることを目的としている。2007年度は、新規に導入した有機薄膜堆積用真空蒸着装置の立ち上げを行い、ペンタセンを有機半導体として用いたボトムゲート型MOSダイオードの検討を行った。 まず、新規に導入した真空蒸着装置を用いてペンタセンの堆積を行い、界面制御層を導入せずに良好なC-V特性が得られることが分かった。また、形成したペンタセン薄膜のXRD測定の結果から、(001)配向の良好な薄膜が形成されていることが分かった。最後に、形成したペンタセンMOSダイオードの大気中での安定性に関する検討を行った。ダイオード作製直後に測定した結果と比較して、7日後に測定した結果では、フラットバンド電圧が正側に1V程度シフトすることが分かった。さらに30日後の測定結果ではヒステリシス幅が100mVに増大し、蓄積容量値が大幅に低減することが分かった。これは、試料を保管しているデシケータ雰囲気中の酸素や水分の影響により、ペンタセン薄膜が劣化したためであると考えられ、微細デバイスを作製する際には雰囲気の影響を抑制したプロセス及び材料を検討する必要がある。
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Research Products
(2 results)