1996 Fiscal Year Annual Research Report
| Project/Area Number |
08555018
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| Section | 試験 |
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| Research Institution | Kyoto University |
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Principal Investigator |
吉本 昌広 京都大学, 工学研究科, 講師 (20210776)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
木本 恒暢 京都大学, 工学研究科, 助手 (80225078)
冬木 隆 京都大学, 工学研究科, 助教授 (10165459)
松波 弘之 京都大学, 工学研究科, 教授 (50026035)
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| Keywords | 極微領域ホトルミネセンス像 / 極低温測定 / 極微領域電子構造 / レーザー顕微鏡 / 半導体極微構造 / ピエゾアクチュエータ / 半導体特性マッピング |
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| Research Abstract |
本研究はホトルミネセンス(PL)、反射・透過率測定、光導電率測定など光を励起源とした測定法で、解像度を理論的極限にまで高めた信号像(トポグラフ)を極低温で得ることを目的としている。具体的には、半導体極微構造(ナノ構造)のPL、透過・反射率や導電率の信号像(トポグラフ)が0.6μmの解像度(Ar^+レーザ光、波長488nmを励起光としたとき)で得られる装置を試作する。この装置では、10K程度の極低温から室温までの温度範囲で測定可能である。使用する光学系は全て通常のものであり、通常の顕微鏡を扱うのと同程度の良好な操作性を持つ。本年度は以下の成果を得た。
1.高解像度対物レンズを用いたトポグラフ解析装置の設計・試作
高解像度対物レンズおよび独自に設計した熱絶縁機構、防振機構を用いたトポグラフ解析装置を試作した。精密な位置決めにはピエゾアクチュエータを用い、試料の冷却にはヘリウム循環式極低温冷却器を用いた。信号像の記録および画像処理には、現有のパーソナルコンピュータおよび科学計測支援ソフトウエアを用いた。
2.試作装置の性能実証
二酸化シリコンのサブミクロン極微細パターンを持つシリコンを試料とし、反射像を観察し、所期の解像度が得られる見通しをつけた。
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