2008 Fiscal Year Annual Research Report
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08F08377
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
猿倉 信彦 Osaka University, レーザーエネルギー学研究センター, 教授
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
ESTACIO Elmer Surat 大阪大学, レーザーエネルギー学研究センター, 外国人特別研究員
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| Keywords | THz増幅 / ab initio計算 / Ba化合物 / フォノン |
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| Research Abstract |
本研究はそのテラヘルツ周波数帯のパラメトリック増幅器の実現と、それを用いた飽和吸収効果などをねらった非線形分光研究を開拓することを目的とし、本年度は、
(1)差周波発生を利用したBBOなどの非線形結晶からのテラヘルツ波放射実験
(2)半導体表面エミッターから放射されたテラヘルツ波増幅実験(非線形結晶を増幅用結晶に用いる)を行った。
(1)については、BBO結晶が0.1-1.1THz領域で高い複屈折性を示すこと、透過スペクトル測定からΔn/n=0.12±0.02であることを明らかにした(nは屈折率)。これらの結果は理論計算より求めたフォノンモードの振動数からの帰結とよく一致した。以上から、BBO結晶のテラヘルツ領域におけるパラメトリックデバイスとしての可能性を示すことに成功した。
(2)については、フェムト秒Ti:Sapphireレーザー励起によるInAs/GaAs量子ドット構造におけるTHz放射強度、特性を調べた。THz放射出力の励起波長依存性を調べた結果、量子ドットサンプルからの出力がP型InAsと比べ励起波長800nmにおいて約70%の出力を得ることを明らかにした。さらにInAs/GaAs量子ドットとP型InAs、GaAsとのテレヘルツ放射出力の比較からテラヘルツ放射はGaAsで起こることを明らかにした。以上から、InAs/GaAs量子ドット構造がテラヘルツは増幅に有用となりうることを示すことに成功した。
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Research Products
(2 results)
