2008 Fiscal Year Annual Research Report
モルフォロジーと機能を制御した新ナノ構造物質の創製
Project/Area Number |
08F08509
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Research Institution | National Institute for Materials Science |
Principal Investigator |
板東 義雄 National Institute for Materials Science, 国際ナノアーキテクニクス研究拠点, グループリーダー
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
ZHAI Tianyou 独立行政法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 外国人特別研究員
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Keywords | 半導体 / 硫化カドミウム / 形態制御 / 電界放射 / ナノ構造 / カソードルミネセンス / アレー状構造 / 硫化物 |
Research Abstract |
本研究ではCdS、ZnSやPbSなどの硫化物等のワイドギャップ半導体系の新規な無機ナノ構造物質を探索・創製し、その機能と構造を解明する。特に、組成とモルフォロジー制御による合成条件を見出し、無機系半導体のバンド幅を制御する合成方法を確立させることを研究目的とする。 本年度は下記の成果を挙げた。 1.有機金属CVD法を用いてCdSのナノロッドを創製し、その電界放射特性を調べた。生成したナノロッドは直径が10nmΦで長さが数ミクロンで、ほぼ1方向に配向した形状を有していた。アスペクト比が大きいため、CdSナノロッドの電界放射特性は従来の値よりも著しく大きいことが明らかとなった。 2.CVDのよる合成条件をコントロールすることにより、CdSの異なる形状のナノ物質、ナノロッド、ナノチップ、ナノワイヤーを合成することに成功した。ナノ物質の形状に対応した電界放射特性を調べると、ナノチップが一番良い値を示した。
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Research Products
(2 results)
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[Journal Article] Characterization, cathodoluminescence and field emission properties of morphologytunable CdS micro/nanostructures
Author(s)
Zhai T. Y., Fang X. S., Bando Y., Dierre B., Liu B. D., Zeng H., Huang Y., Xu X. J., Yuan X., Sekiguchi T., Golberg D
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Journal Title
Adv. Funct. Mater 2009(In press)
Peer Reviewed