2008 Fiscal Year Annual Research Report
ゲルマニウムアンチモンテルル系材料の超格子構造を用いたデータストレージデバイス
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08F08510
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| Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
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Principal Investigator |
富永 淳二 独立行政法人産業技術総合研究所, 近接場光応用工学研究センター, センター長
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
SIMPSON Robert Edward 独立行政法人産業技術総合研究所, 近接場光応用工学研究センター, 外国人特別研究員
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| Keywords | 超格子 / 不揮発性メモリ / 光メモリ / 相変化 / ゲルマニウム・アンチモン・テルル / GST225 |
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| Research Abstract |
研究計画に沿って、ゲルマニウム・アンチモン・テルル三元化合物を産総研が所有するヘリコン波スパッタリング装置を用いて作製した。まず始めに、補助職員等と協力して各純金属ターゲットに印可する電圧を決め、時間当たりの膜厚形成速度を求めた。また、第一原理計算を角いたシミュレーションによってc軸方向の単位ブロック長を算出し、このブロック長に従ってゲルマニウム2・テルル2からなるシートブロックとアンチモン2・テルル3からなるブロックを交互に積層した構造を数十層、シリコン表面や光ディスク等で用いられるポリカーボネート基板上に形成した。そして、自作した速度測定装置を使ってパルスレーザーによる光反射率の時間変化からそのスイッチング速度を測定し、超格子でない合金膜層と比較した。その結果、超格子構造を有するゲルマニウム・アンチモン・テルル薄膜が速度にして2から3倍速いことを実証した。この成果については、Robert Simpsonを筆頭著者として現在論文作成中である。本研究成果は、内外で研究開発が加速している不揮発性固体メモリの一種、相変化メモリの高度化に向けて非常に価値が高い。
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