2008 Fiscal Year Annual Research Report
X線吸収分光の「その場」観察と計算手法を組み合わせによるナノ物質研究
Project/Area Number |
08F08603
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Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
Principal Investigator |
大柳 宏之 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 光技術研究部門, 主幹研究員
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
SUN Zhihu 独立行政法人産業技術総合, 光技術研究部門, 外国人特別研究員
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Keywords | マイクロリアクタ / EXAFS / ナノ結晶 / CdSe / XANES / 核発生 / その場観察 / 放射光 |
Research Abstract |
X線吸収分光を用いてマイクロリアククーセルによるCdSeナノ粒子の合成過程の「その場」解析によりナノ粒子の特定と成長条件の最適化を行った。マイクロリアクタのナノクラスター成長過程の「その場」観測のために、小型リアクタとその位置微調装置、蛍光X線検出器からなる独立型の測定ステーションを開発し、マイクロリアクタによるCdSe核成長過程の観測を行った。CdSe原材料のSe吸収スペクトルを反応開始場所からチャネルにそって観測を行い、世界で初めて核形成の瞬間をとらえ各地点でのSe原材料の変化量(CdSe生成量)とその局所構造を評価し反応速度論により核成長過程の評価を行った。 またWをSiケージに取り込んだナノ結晶および超伝導体(FeAs系、LaSrCuO系)の精密な評価を行い局所構造について報告した。WをSiケージに取り込んだナノ結晶の評価ではW原子の周囲に12個のSi原子が配位したクラスターを構成していることをつきとめた。超伝導体では低温でキャリアドープにより生じる格子不安定性がポーラロンによるものでFeAs系と銅酸化物に共通の格子効果として発現する事をみいだした(研究分担)。
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Research Products
(6 results)