2009 Fiscal Year Annual Research Report
不揮発生メモリーへの応用のため、静的および動的EXAFS法を用いた相変化材料の研究
Project/Area Number |
08F08789
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Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
Principal Investigator |
KOLOBOV Alexander National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 近接場光応用工学研究センター, 上席研究員
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
KRBAL Milos 独立行政法人産業技術総合研究所, 近接場光応用工学研究センター, 外国人特別研究員
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Keywords | 相変化 / メモリ素子 / 結晶-アモルファス転移 / EXAFS / XANES / 第一原理シミュレーション |
Research Abstract |
今年度においては、メモリ応用の相変化材料の実験と第一原理シミュレーションを行った。ゲルマ過剰Ge-Sb-Teアロイの局所構造解析の為、高輝度光科学研究センター(SPring-8)においてX線吸収分光法実験を多数行った。この実験とその分析結果は、常に相変化材料に存在する局所的な歪み(ブラッグ回折に見えない)の問題に対して明確な答えを導きだした。X線吸収分光法を用いたGe2Sb2Te5その場結晶・アモルファス相転移サブナノ秒時間分解構造解析実験を行った。この実験の結果により、アモルファス状態が、通常考えられていた融点から急冷経由で作られたのではなく、直接個々相転移によって作られたことが分かった。英国のケンブリッジ大学と共同でシミュレーションを用いて、アモルファスGe2Sb2Te5の局所構造は4面体対称ビルディングブロックで構成されただけではなく、ピラミッド形も存在していることを証明した。
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Research Products
(3 results)