2008 Fiscal Year Annual Research Report
Project/Area Number |
08F08792
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Research Institution | National Institute for Materials Science |
Principal Investigator |
吉武 道子 National Institute for Materials Science, 半導体材料センター, 主席研究員
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
NEMSAK Slavomir 独立行政法人物質・材料研究機構, 半導体材料センター, 外国人特別研究員
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Keywords | バンドオフセット / 絶縁層 / 有機分子吸着 / リン酸基 |
Research Abstract |
ナノメーター厚さの良く制御されたアルミナ膜は、絶縁性に優れ、電界効果トランジスタ(FET)の絶縁層として有望な材料である。 受入研究者のグループではエピタキシャルアルミナ膜の成長に関して研究を行っており、博士課程で当グループと共同してCu-Al合金単結晶上のアルミナ膜成長を研究してきたNEMSAK氏と、エピタキシャルアルミナ膜上に、酸素を介して化学結合を作って自己組織化すると期待されるリン酸基をもつ有機分子を配列させる研究を行う。 特に、Cu-Al合金単結晶上のアルミナ膜成長の系に加えて、純銅単結晶上にエピタキシャルアルミナ膜を成長させて、二つのアルミナ膜上にフェニルリン酸を蒸着し、X線光電子分光法、紫外線光電子分光法、ケルビンプローブ法、低速電子線回折法、走査型トンネル顕微鏡法などの手法を用いて有機膜成長のその場観察と物性のその場評価を行う。 本年度はまず、純銅単結晶上にエピタキシャルアルミナ膜を成長させるための酸素分圧・アルミニウム蒸着速度・成長温度に関して検討を行い、エピタキシャルアルミナ膜の成長に成功した。また、銅のフェルミレベルとアルミナのバレンスバンドとのバンドオフセットの測定も行った。
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Research Products
(2 results)