2008 Fiscal Year Annual Research Report
酸化亜鉛薄膜およびナノロッドの電気伝導機構に関する研究
Project/Area Number |
08J06841
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Research Institution | Kyoto University |
Principal Investigator |
鎌田 雄大 Kyoto University, 工学研究科, 特別研究員(DC1)
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Keywords | 酸化亜鉛 / 電気伝導 / 不純物散乱 / 薄膜トランジスタ / 光照射 / 閾値電圧 / オフ電流 / ギャップ内準位 |
Research Abstract |
酸化亜鉛(ZnO)半導体の伝導機構を明らかにして高機能・高性能のデバイスへ展開することを目的に研究を行った。本年度の研究実績を下記にまとめる。 1.ミスト法を用いることでCVD法として最高性能を持つZnO薄膜が得られることがわかったが、ホール測定によりその伝導機構を調べ、さらに高性能を得るための検討を行った。その結果、原料中の不純物が形成するイオン化不純物散乱が大きいことが明らかになった。またZnMgO混晶化によって移動度が急激に減少し、これは表面モフォロジの問題が大きいことが示唆された。この結果、原料の高純度化と表面の平坦化条件での成膜によってさらに高品質の電気特性が得られる見通しを得た。 2.ZnOを用いた薄膜トランジスタ(TFT)はフラットパネルディスオプレイの駆動デバイスとして有用であるが、多結晶であることによるギャップ内準位の影響でバンドギャップエネルギーより小さいエネルギーの光に感度をもち、その要因の解明と低減が不可欠である。そこで高知工科大学との連携によって同所でTFTを試作し光照射時の特性を測定した。その結果、バンドギャップエネルギー以下の370-450nmの光照射によって閾値電圧のシフトとオフ電流の増加という2つの現象が生じ、それぞれ別の要因によると考えられる結果が得られた。 3.上記の原因を探索する方法として、TFTの特定の部分に光照射をするという方法を考案し、そのためのマスク作成と実験の準備を行った。ソース領域への光照射によって生じる現象が問題であることを示唆する結果が得られ、次年度以降詳細な検討を行って行く。
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Research Products
(3 results)