2008 Fiscal Year Annual Research Report
Project/Area Number |
08J55211
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Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
Principal Investigator |
奥村 忠嗣 Tokyo Institute of Technology, 大学院・理工学研究科, 特別研究員(DC1)
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Keywords | 光電子集積回路 / 低消費電力 / 強光閉じ込め効果 / 半導体薄膜レー / 横方向電流注入レーザ / 絶縁性基板 |
Research Abstract |
光電子集積回路用の小型・低消費電力光源として期待される、強光閉じ込め効果を用いた極低電流動作DFBレーザをSOI基板上に実現すると共に、他の機能光テバイスを集積化することな目的としている。本年は薄膜レーザの電流注人動作化を中心に研究を進めた。半導体薄膜レーザに関する研究報告は所属研究機関により以前よりなされてさたが、光励起による動作のみであるという問題が残されていた。この解決方法を探索するために、NTTや富士通等の機関より既に報告されているLCIレーザ構造を応用し、電流注入構造の実現にフォーカスを定め絶縁性基板上に横方向電流注人レーザの作製を行った。埋め込み再成長法・イオン注入法などの候補の中から実験を通して、埋め込み再成長法を撰択し窒温パルスレーザ発振を得た。さらに特性の改善を進め室温連続動作を実現し、従来型の縦方向注入レーザに比べて同等のしきい値電流動作を示すとともに、今後の高性能化に向けて内部量子効率の改善が重要なパラメータとなるという結果を得た。またDFB構造の導入を進めレーザ発振を得た。以上の結果より、低消費電力光デバイス作製に有用な薄膜構造においても、電流注入を必要とする能動テバイスが実現可能であることを示した。今後、誘電体クラッドを用いた強光閉じ込め構造を導入することによって低しきい値レーザの実現とともに、薄膜構造を応用したディテクタや高速変調デバイスなどへの応用が期待される結果を得た。
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Research Products
(6 results)