1998 Fiscal Year Annual Research Report
高速重イオンの電子的スパッタリングによるクラスター粒子生成機構の解明と応用
Project/Area Number |
09480099
|
Research Institution | Kyoto University |
Principal Investigator |
今西 信嗣 京都大学, 工学研究科, 教授 (10027138)
|
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
今井 誠 京都大学, 工学研究科, 助手 (60263117)
伊藤 秋男 京都大学, 工学研究科, 助教授 (90243055)
|
Keywords | 電子的スパッタリング / 重イオンビーム / クラスターイオン / 放出収率 / 放出角度分布 / 2次イオン初期エネルギー / 飛行時間測定 / 照射効果 |
Research Abstract |
1. 研究目的 本研究課題は、高速領域、つまり電子的衝突過程が支配する速度領域で、重イオンを不導体に照射し、論体から放出するクラスター粒子の電荷分布、質量分布、放出初期エネルギー分布、放出角度分布を、入射イオン種とターゲット化学種を系統的に変えて測定する。このことにより、電子的スパッタリングの基本的な機構の解明を行い、あわせて(1)電子デバイスの3次元的加工、(2)宇宙電子デバイスのシングルイベント損傷、(3)固体表面上にナノスケールオーダーの凹凸空間を作るなど表面の改質・機能化など応用技術の発展に資する。 2. 今年度に得られた成果 (1) MeVエネルギー領域のSi、CuおよびAgをSiO_2などのターゲットに照射し、放出する原子状多価イオンならびにクラスターイオンを直線型飛行時間分析器を用いて測定し、質量分布ならびに2次イオンの放出初期エネルギー分布を測定した。放中初期エネルギー分布の精度は0.1eVである。 (2) 原子状イオンについての初期エネルギーは多価になるにつれ急速に増加する。 (3) 発生するクラスター正イオンの初期エネルギーは原子状イオンに比べ非常に低い。 (4) クラスターイオンの系列が同じものは初期エネルギー分布はほぼ等しい。 (3) 得られた2次イオンの放出初期エネルギー分布を検討し、電子的スパッタリングの生成機構に力点をおいてまとめ公表した。
|
Research Products
(6 results)
-
[Publications] 今西信嗣: "Electronic Sputtering Process of SiO_2 under Heavy Ion Bombardment" Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 135. 424-429 (1998)
-
[Publications] 今西信嗣: "Neutralization of Intermediate-Velocity Li Emerging from Cs- and Oxygen-Covered Si(100) and GaAs(110) Surfaces" Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 135. 413-418 (1998)
-
[Publications] 今西信嗣: "Crystallographic Azimuthal-Angle Dependence of the Neutral Fraction of Hydrogen Emerging from GaAs(110)" Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 136. 1135-1139 (1998)
-
[Publications] 今西信嗣: "Electronic Sputtering from an SiO_2 Target Bombarded by Heavy Ions" Proceedings of the 2^<nd> Japan-Russia Symposium on Interaction of Fast Charged Particles. 94-105 (1998)
-
[Publications] 今西信嗣: "Electronic Sputtering from an SiO_2 Target Bombarded by Heavy Ions" Proceedings of the 15th Inter.Conf.on the Application of Accelerators in Research and Industry. (in press). (1999)
-
[Publications] 太田英之: "TOF Study on Electronic Sputtering of SiO_2 Bombarded by MeV Energy Heavy Ions" Atomic Collision Research in Japan,Progress Report. 24. 52-53 (1998)