1998 Fiscal Year Annual Research Report
シリコン基板上の窒化ガリウム青色面発光型レーザーに関する研究
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09650049
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| Research Institution | Nagoya Institute of Technology |
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Principal Investigator |
江川 孝志 名古屋工業大学, 極微構造デバイス研究センター, 助教授 (00232934)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
神保 孝志 名古屋工業大学, 工学研究科, 教授 (80093087)
梅野 正義 名古屋工業大学, 工学部, 教授 (90023077)
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| Keywords | 窒化ガリウム / 面発光型レーザー / 分布型ブラッグ反射鏡 / 歪超格子 / クラック / 反射率 |
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| Research Abstract |
窒化ガリウム(GaN)系面発光型レーザーの実現には高反射率を有する分布型ブラッグ反射鏡(DBR)から成る共振器ミラーの形成が必要である。しかしながら、サファイア基板上にGaN層を成長すると両者の格子定数差や熱膨張係数差に起因するクラックが発生する。これを抑制するためにAlGaN/GaNからなる100周期の歪超格子構造を導入したGaN/AlGaN半導体多層膜30層のDBRを作製した。室温で反射率の測定を行ったところ、歪超格子構造を用いなかったものはクラックが発生し416nmの波長で93%の反射率を示したが、歪超格子構造を導入したものはクラックの発生が抑制され反射率が409nmで98%と大きく改善された。しかしながら、DBRの各層の膜厚にはばらつきがあるため、今後、さらに膜厚の最適化及び平坦化などを行うことにより、さらなる反射率の改善が期待できる。
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[Publications] G.Y.Zhao et al.: "Electrical Transport Properties of GaSb Grown by Melecuter Beam Epitaxy" Jpn.J.Appl.Phys.37・4A. 1704-1708 (1998)
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[Publications] G.Yu et al.: "Optical properties of Al_xGa_<1-x>N/GaN Natorortructers on sapphia by spectroscopic alliprometry" Appl.Phys.Lett.72・18. 2202-2204 (1998)
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[Publications] G.Y.Zhao et al.: "Thermo-optical nonlinearity of GaN grown by metalorganic crenical-vaper deposition" Appl.Phys.Lett.73・1. 22-24 (1998)
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[Publications] T.Egawa et al.: "Investigations of SiO_2/n-GaN and SiN_4/n-GaN insulator-semiconductor interfaces with low interface state density" Appl.Phys.Lett.73・6. 809-811 (1998)
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[Publications] H.Ishikawa et al.: "Thermal stability of GaN on (II)Si substrate" J.Crystal Growth. 189/190. 178-182 (1998)
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[Publications] K.Yamamoto et al.: "EBIC observation of n-GaN grown on sapphire substrates by MOCVD" J.Crystal Growth. 189/190. 575-579 (1998)
