反射赤外光弾性法を用いた半導体プロセス誘起歪みの測定

1997 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 09875081
• Research Institution: Kyoto Institute of Technology
• Principal Investigator: 山田 正良 京都工芸繊維大学, 工芸学部, 教授 (70029320)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 福澤 理行 京都工芸繊維大学, 工芸学部, 教務職員 (60293990)
• Keywords: プロセス誘起歪 / 光弾性 / 歪 / 化合物半導体 / 赤外光 / ダイボンディング

Research Abstract

1,反射型顕微赤外光弾性装置を開発するために、赤外光カメラ、ビーム分枝型グラン・トムソン偏光プリズム、レンズやフィルタなどの光学部品を組み合わせて、光学機構部分を設計製作し、赤外光カメラからの画像信号をA/D変換した後フレーム・メモリに取り込み、コンピュータ上で処理ができる赤外画像処理システムを、フレームメモリボード、CPUボードなどを用いてボードベースでシステム構築した。
2,光学機構部分と赤外画像処理システムを一体化し、申請者が今までに進展させてきた光弾性測定アルゴリズムをシステムに移植して、反射型顕微赤外光弾性装置を試作した。
3,試作した反射型顕微赤外光弾性装置を用いて、放熱板への化合物半導体チップのダイボンディングによって誘起される複屈折を世界で初めて測定することに成功した。誘起された複屈折からダイボンディングによって生じる歪みの大きさを定量評価することはまだ困難ではあるが、反射型顕微赤外光弾性装置を用いれば半導体プロセス誘起歪みが測定可能なことを研究発表に記載した国際会議に発表したところ、研究の新規性と重要性が大いに認められた。

Research Products

• [Publications] Tao Chu: "First observation of GaAs chip bonded on heatsink plate with reflection type of infrared polariscope" Proc.of 7th Int.Conf.on Defect Recognition and Image Processing,Templin,Germany,1997,Sept.7-10. (印刷中). (1998)