2009 Fiscal Year Annual Research Report
Project/Area Number |
09F09070
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Research Institution | Tohoku University |
Principal Investigator |
羽根 一博 Tohoku University, 大学院・工学研究科, 教授
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
王 永進 東北大学, 大学院・工学研究科, 外国人特別研究員
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Keywords | フォトニック構造 / MEMS / アクチュエータ / 共鳴格子 / シリコンフォトニクス / GaNフォトニクス |
Research Abstract |
MEMSのマイクロアクチュエータ構造をSi基板に製作した後,GaN量子井戸結晶を成長した.発光特性を確認し,フォトニック構造をアクチュエータと組み合わせて可変にできる方式の1つを実現できた.また,SOIウエハの260nm上層シリコンを用いて,フォトニック結晶構造を製作し共鳴構造を試作した.同心円構造の場合,偏向無依存め特性が得られ,新しいフィルタデバイス実現への端緒が得られた.またSi基板上にGaN結晶を成長し,Si基板をSiの深堀エッチングにより掘り抜いて,GaNの自立スラブ構造を試作した.このGaNスラブ構造にサブ波長領域のフォトニック構造を加工して光学特性を測定した.すこし長い波長であるが,1.5μm領域の共鳴格子においては,狭い帯域の共鳴効果が得られ、GaN材料における共鳴格子デバイスの実現の可能性を示すことができた.黄色から赤の領域の量子井戸を形成し,Si基板を取り除いた自立構造を実現することで,光閉じ込め効果が高くなり,蛍光強度の極めて大きな増強が確認できた.青色領域でも自立スラブ型フォトニック構造を形成し発光強度の増強を調べたが.微細加工により蛍光が強く劣化すること分かり.エッチング加工法の改良が必要であることが示された.青色などの短い波長領域では周期が短くなるため,相対的加工精度が低下し,現状では効率のよい共鳴効果はまだ実現できていないと考えられた.
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Research Products
(7 results)