2009 Fiscal Year Annual Research Report
Project/Area Number |
09F09273
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Research Institution | The University of Tokyo |
Principal Investigator |
福谷 克之 The University of Tokyo, 生産技術研究所, 教授
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
ONG YiChing 東京大学, 生産技術研究所, 外国人特別研究員
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Keywords | 半導体デバイス / 酸化膜 / 高誘電率物質 / 表面終端効果 / ゲルマニウム |
Research Abstract |
半導体デバイスでは、酸化膜-半導体界面及び酸化膜の電子的性質がその性能を大きく左右する。本研究ではSiに代わる次世代半導体として近年注目されているGeについて、界面特性の向上を目指し、その表面終端効果を電子状態を明らかにすることを目的とする。表面終端の方法として、窒素、シリコン、水素による終端表面を作製し、その原子構造と電子状態を操作トンネル顕微鏡/分光と核反応法を用いて実験的に解明し、最適終端構造を提案することを目指すものである。これにより次世代MOSデバイスへの貢献が期待される。本年度はGe結晶試料準備、Ge(111)及びGe(001)の清浄表面の作製、Ge(111)及びGe(001)表面の水素終端化を行った。まず、Ge単結晶試料を準備し、表面の化学処理を行った。次に、自然酸化膜形成や汚染を避けるため、超高真空中でイオン衝撃と加熱処理により清浄表面を作成した。イオン衝撃用のイオン銃を現有の操作トンネル顕微鏡に取り付け、清浄度と表面の結晶性を低速電子線回析、オージェ電子分光およびSTMにより評価した。また、原始状水素源を用いてGe(111)及びGe(001)表面に水素原子を暴露し、表面の終端化を行った。
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