2009 Fiscal Year Annual Research Report
混晶を用いたdHvA効果による強相関f電子系の電子状態に関する研究
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09J04435
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
松本 裕司 Tohoku University, 大学院・理学研究科, 特別研究員(DC2)
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| Keywords | 希土類化合物 / 強相関電子系 / 重い電子系 / 量子臨界点 / dHvA効果測定 / 混晶 |
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| Research Abstract |
Ce_xLa_<1-x>Ru_2Si_2,混晶系のdHvA効果測定を行った。Ce低濃度領域では、LaRu2Si2で観測された全てのフェルミ面の連続的観測に成功した。その結果Ce_xLa_<1-x>Ru_2Si_2,混晶系において、Ceのf電子はCe低濃度領域でもフェルミ面に寄与している可能性が高いことを明らかにした。Ce低濃度領域における、詳細なdHvA効果測定はこれまで行われていないため本研究により初めて、Ce低濃度領域でもf電子はフェルミ面に寄与しているという知見が得られた。その結果は論文投稿中である。また、CeRu_2(Si_<1-x>Ge_x)_2においても、dHvA信号の観測に成功していて、この系では強磁性から反強磁に基底状態が変化する濃度でf電子は局在から遍歴に変化している可能性が高いことが明らかになった。その結果は論文投稿中である。
Ce_xLa_<1-x>Al_2,Ce_xLa_<1-x>Cu_6,の試料作製を行った。Ce_xLa_<1-x>Al_2はアニール効果を調べて試料の純良かを測ることに成功した。そのため混晶系においてもdHvA信号の観測に成功した。今後は、dHvA効果測定を系統的に行う予定である。一方Ce_xLa_<1-x>Cu_6は、LaCu_6の純良な試料の作製しdHvA信号の観測にも成功した。今後は、混晶系においてもdHvA信号が観測できることを確認し、dHvA効果測定を系統的に行う予定である。
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