2010 Fiscal Year Annual Research Report
Project/Area Number |
09J08429
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Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
Principal Investigator |
淵田 歩 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 特別研究員(DC1)
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Keywords | スローライト / 光スイッチ / ブラッグ反射鏡 |
Research Abstract |
InAs/GaAs 3QWを含む半導体コアを半導体DBRと上部半導体DBRおよびAu/siO_2ミラーで挟んだブラッグ反射鏡導波路を用いてスローライト光スイッチを作製した.コアの直上には選択的キャリア注入のために酸化狭窄によるアパチャーが設けられている.Au/SiO_2ミラーは入射角15度を想定した六角形をしている.酸化領域の等価屈折率はアパチャー部分よりも数%程度低いため,アパチャー側から酸化境界に対して光を入射するとOFF時には入射光は全反射する.ON時には電流注入によりアパチャー内の等価屈折率が減少し,酸化領域との等価屈折率差が解消されて光は透過する.このデバイスのスイッチング特性の測定を行った.先球ファイバを用いて斜めに光を入射してスローライトを励振し,斜めに出射した光をビジコンカメラにより測定した.波長1524nmにおいてOFF時には反射光のみが見えているが,注入電流量の増加と共に反射光強度の減少,透過光強度の増加および屈折角補角の拡大が確認できる.これより,アパチャー内の等価屈折率が減少していることが分かる.また電流値35mAのときには透過光、反射光ともに消光比は15dB以上である。次に等価屈折率変化量を見積もるために反射率および透過率の測定値と理論曲線のフィッティングを行うと,波長1524nmにおいて電流値35mAのときのコアの材料屈折率変化は0.5%,等価屈折率変化は4.7%程度と見積もることができる.以上からスローライトの利用により、光の曲げ角30度のスイッチング動作を達成し,等価屈折率変化増大による光スイッチ小型化及び集積化の可能性を見出した.
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Research Products
(9 results)