1999 Fiscal Year Annual Research Report
パルス化した放電プラズマによるダイヤモンド膜の気相成長
Project/Area Number |
10650008
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Research Institution | Aichi University of Education |
Principal Investigator |
野田 三喜男 愛知教育大学, 教育学部, 教授 (10024324)
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Keywords | ダイヤモンド膜 / プラズマCVD / パルス放電 / 間欠放電 / 微細構造 / 電極間距離 / 補助電極 / プラズマ発光分析 |
Research Abstract |
1.これまでの陰極と陽極(基板)間で放電させる装置を改良し,陰極近傍に補助電極を設置して,この補助電極と陰極間で安定した放電をおこない,基板(陽極)と陰極間の放電を,基板に加える別の電源によっても制御できるようにした.この方法により,基板と陰極間の距離,放電時ガス圧力,放電電流などをより広く変化させても放電が可能になり,次の結果を得ることができた.なお,昨年に引き続き,パルス放電にした場合に,時間(Td)と放電停止時間(Tn)を独立に変化できるようにし,プラズマの発光分析も行えるようにした. 2.放電を半波整流波形でおこなう間欠放電プラズマCVDで試料を作製する場合,電極間距離を20-25mm程度にすると,10および30mmの場合にくらべて結晶性がよくなることを見出した.(JJAPに論文として発表)なお,放電時間(Td)と放電停止時間(Tn)を変化させることのできるパルス放電プラズマCVDにおいても同様な結果が得られている. 3.Td=0.5msとし,Tn=2msとすると,成膜速度があまり減少せず結晶性の良いダイヤモンド膜が得られることが明らかになり,プラズマ中の水素の発光強度やそれから求めた励起温度に関連していることも分かった.(ADC/FCT'99,信学技報で発表) 4.放電時ガス圧力を高くすると,間欠放電の場合は,成膜速度と結晶性がよくなり,プラズマの発光スペクトル中のC_2の強度が強くなる.また,パルス放電の場合は,Tnによって結晶性のよくなるガス圧力が異なる,という結果が現在得られている.(2000年春の応物学会で発表予定)
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Research Products
(3 results)
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[Publications] Mikio NODA: "Formation of Diamond Films by Pulsed Discharge Plasma Chemical Vapor Deposition Using Sub-electrode"Proc.of Applied Diamond/Frontier Carbon Technology Joint Conf.(ADC/FCT'99). 402-407 (1999)
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[Publications] Mikio NODA: "Formation of Diamond Films by Intermittent DC Plasma Chemical Vapor Deposition using Subelectrode"Japanese Journal of Applied Physics. 38・7B. 4496-4499 (1999)
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[Publications] 野田 三喜男: "補助電極を用いたパルス放電プラズマCVDによるダイヤモンド膜の作製"電子情報通信学会技術研究報告(電子デバイス). ED99・64. 81-86 (1999)