1998 Fiscal Year Annual Research Report
Project/Area Number |
10650325
|
Research Institution | Kochi University of Technology |
Principal Investigator |
河津 哲 高知工科大学, 工学部, 教授 (00299372)
|
Keywords | LSI / MOS構造 / 担体発生 / 微小電流評価 / 結晶欠陥 / 重金属汚染 / 絶縁破壊 |
Research Abstract |
Pulse Scanning C-V方式はMOSダイオードのC-V測定において、バイアス電圧をパルスで印加し、パルス印加時間における担体発生量をパルスの立上り・立下り時の容量測定から求める方法である。従来のC-t法は担体発生量を空乏層の変化から測定しているが、本方式の特徴である空乏層幅の変化が殆ど認められない担体発生量(3E10個/cm^2)の測定が可能な高感度測定法を構築し、所期の目標が達成出来ることを確認した。 個別の要素技術研究開発では、IE-16(A)の電流測定と等価になるMOS静電容量0.1〜1pFの測定系の開発を行った。電圧印加により静電容量は1/10以下まで変化する。この状態で雑音を信号の1/20に保には5fF以下であることが必要条件となる。赤外モノクロ光照射可能な静電容量測定系において、上記の条件を満たすシステムを構築したここで得られた調整後の浮遊容量は5fF、雑音は2fFを得た。 更に、本年度補助金を得て温度特性測定可能なウエハープローバを導入し、評価用試料の温度起因担体発生量が2桁減少することを確認した。低温下で漏れ電流1E-16(A)に相当するシステム評価用試料(TEG:Test Elements Group)を用いて、微少電流評価システムの性能確認を行い、所期の性能が得られることを確認した。 また、近年の超LSI用Si結晶の品質が向上し、従来のC-t法では10,000秒程度を要する測定が、本方式を適用すると1/10の時間で評価が可能なことを証明した。従来、少数のデータを用いて結晶品質改良の検討がなされていたが、本方式を用いることに依り、多数の測定が可能となり、データの品質(確からしさ)が向上し、開発促進にも寄与し得ることを確認した。
|
Research Products
(1 results)