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1999 Fiscal Year Annual Research Report

高純度^<28>Si同位体バルク結晶成長

Research Project

Project/Area Number 11875008
Research InstitutionKeio University

Principal Investigator

伊藤 公平  慶應義塾大学, 理工学部, 講師 (30276414)

Keywordsシリコン / 半導体 / 同位体
Research Abstract

天然のシリコン(Si)は^<28>Si、^<29>Si、^<30>Siの3種類の安定同位体から構成され、それぞれの組成は常に92.2%(^<28>Si)、4.7%(^<29>Si)、3.1%(^<30>Si)と一定である。本研究では同位体純度99.99%の^<28>Si粉末を入手し、掃出し法(zone refining)によりボロン、アルミニウム、リンなどの不純物を除去した後、フローティングゾーン(Fz)法を用いて高純度^<28>Siバルク単結晶を成長した。成長された^<28>Si結晶は、高熱伝導度LSI基板や量子コンピューティングを実現する材料としての応用が期待される。基礎研究から応用研究に至るまで広い使途が約束された単一同位体Si単結晶を世界に先駆け完成したことが本年度の成果である。

  • Research Products

    (1 results)

All Other

All Publications (1 results)

  • [Publications] K.Takyu,et.al.: "Growth and Characterization of the Isotopically Enriched ^<28>Si Bulk Single Crystal"Japanese Journal of Applied Physics. 38. L1493-L1495 (1990)

URL: 

Published: 2001-10-23   Modified: 2016-04-21  

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