2000 Fiscal Year Annual Research Report
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12650323
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| Research Institution | Hosei University |
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Principal Investigator |
原 徹 法政大学, 工学部, 教授 (00147886)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
山本 康博 法政大学, 工学部, 教授 (50139383)
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| Keywords | 低誘電率膜 / 耐熱性 / 界面反応 / 密着力 / LSI層間絶縁膜 |
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| Research Abstract |
LSIに用いる低誘電層間膜の重要性は益々増加、新らしい膜を望む声が高まって来た.この要求で従来の低誘電率化のみの取組みからLSIのプロセスインテグレーションに必要な、耐熱性、界面反応、密着力も重要であることも明らかになった.
本研究ではCVDフロロカーボン膜を中心に研究を進め下記の研究成果を2000年度に得た.
2000年度の研究実績
1)プラズマCVD法によるフロロカーボン膜の堆積技術を確立した.
2)この膜の堆積系中と膜中のC組成の関係を明らかにした.
3)フロロカーボン膜のC組成と膜の誘電率耐熱性との関係を明らかにした.誘電率の低減と耐熱性は相反事項である.
4)C/F=06の組成を有した膜は誘電率が2.6で、460℃の耐熱性が得られた.
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[Publications] T.Hara,K.Sakamoto: "Thermal stability and interfacial reaction"Japan J Appl.Phys. 6A. 506-509 (2000)
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[Publications] N.Ohno,T.Hara: J of Material Science in Semicond. 3. 221-225 (2000)
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[Publications] E.A.Chowdhury,T.Hara: "ESR characterization of the top Si layes for SIMO"Applied Surface Science. 159-160. 231-236 (2000)
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[Publications] T.Hara,F.Togoh: "Mechanism of Mechanical and Chemical Polish"J of Electrochemical Soc.. 5. (2001)
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[Publications] T.Hara,K.Migazawa: "CMP of copper and barrier layers"J of Electrochemical Soc.. 6. (2001)
