高耐熱性低誘電率層間絶縁膜に関する研究

2002 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 12650323
• Research Institution: Hosei University
• Principal Investigator: 原 徹 法政大学, 工学部, 教授 (00147886)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 山本 康博 法政大学, 工学部, 教授 (50139383)
• Keywords: LSI / 高速化 / 配線層 / 低誘電率膜 / 耐熱性 / 密着力

Research Abstract

超LSIの高速化をはかる上で低誘電率層間膜を用いた銅配線層の重要性が益々高まっている。この中で実用に耐える層間膜が開発されていないのが現状である。
本研究では当初取組んでいた高耐熱性低誘電率膜に関し低誘電率化、高耐熱性化の点で十分な研究成果が得られた。しかしこのフロロカーボン膜は本質的に1)Taバルア膜との界面反応、2)Taバルア膜との密着力の点で問題があることを新たに見出した。これらの問題に関し基本的な研究を行って来たが、解決の目途はついていない。
このため新たな低誘電率膜ポリアリルエーテル、C組成の異ったCVD SiOC層間膜に関する研究を進め、新たな研究成果を得ることができた。主な成果として
1)界面反応の制御
2)密着力の定量測定
現在CMP時膜はげが顕著に生じるこれらの低誘電率層間膜の密着力の定量化を行った。この結果をもとに膜はげの原理、膜はげ対策を明らかにした。

Research Products

• [Publications] T.Hara, 他2名: "Properties of Cu interconnection layers"Electrochemical Solid-Stale lett. 5, 1. C1-C3 (2002)
• [Publications] T.Hara, 他2名: "Control of the (III) orientation in Cu intercoun"Electrochemical Solid-State Lett. 5, 3. C41-C43 (2002)
• [Publications] T.Hara, 他2名: "Improved berries and adhesion properties in"Electrochemical Solid-State Lett. 5, 5. G36-G38 (2002)
• [Publications] T.Hara, 他2名: "Delamination of Si by high dose H^+"Material Science and Engineering. B91-92. 160-163 (2002)
• [Publications] T.Hara, 他1名: "Properties of Cu layer deposited by electro"Electrochem. Solid-State Lett. 5, 10. C102-C105 (2002)
• [Publications] T.Hara, 他2名: "Electroplating of Cu conductive layer on the"Electrochem. Solid-State Lett.. 6.1. C8-C11 (2003)
• [Publications] T.Hara, 他2名: "The self-annealing drenomenon in Cu interconnection"Electrochem. Solid-State Lett. 6.3(未). (2003)
• [Publications] T.Hara, 他2名: "Deposition of low resistirity On interconnection"Electrochem. Solid-State Lett. 6.4(未). (2003)
• [Publications] 原 徹(共著): "最新電子部品・デバイス実装技術便覧"R&Dプランニング. 1338 (2002)