2000 Fiscal Year Annual Research Report
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12740160
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| Research Institution | Kanagawa University |
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Principal Investigator |
奥野 祥二 神奈川大学, 工学部, 助手 (90281451)
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| Keywords | SiC / 炭化ケイ素 / ワイドバンドギャップ |
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| Research Abstract |
本年度は、炭化ケイ素素材の現状の調査を中心的に行いそれに基づき材料の入手を行った。そして、炭化ケイ素は化学的には同一組成でありながら、積み重なり方向の積層順序が異なるポリタイプ(polytype)と呼ばれる結晶構造を持つことがわかった。その種類は、一般的に3C-SiC、4H-SiC、6H-SiCの3種類が挙げられ、それぞれの結晶によってもエネルギー・バンド・ギャップが異なり、それぞれ2.2eV、3.0eV、3.3eVである。これは、シリコンのエネルギー・バンド・ギャップが1.12eVであるのに対して2〜3倍である。また飽和電子速度においても、シリコンが約1×10^7cm/sであるのに対し、2〜2.7×10^7cm/sと高速であり、さらに絶縁破壊電界もシリコンが0.3MeV/cmであるのに対し、2〜3MV/cmと約10倍の強度である。以上のことにより、炭化ケイ素を用いて検出器を作成できれば高性能な検出器になることが予想される。
また実際の検出器の製作において予想される問題として、一般にダイヤモンド等のワイド・バンド・ギャップ半導体を使う場合の問題になるオーミック接触をいかに作るかがある。しかし、この問題についてもいくつかの方法が報告されているので、参考にしてこれから試していこうと考えている。
この調査に基づいて入手可能な炭化ケイ素基板を探した結果、2インチの高純度6H-SiCと窒素が不純物として含まれる6H-SiCを入手することができた。今後、この入手した試料を使って比較を行っていく計画である。
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