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2000 Fiscal Year Annual Research Report

反強磁性ハーフメタル材料の創製と物性制御

Research Project

Project/Area Number 12740205
Research InstitutionThe University of Tokyo

Principal Investigator

朝光 敦  東京大学, 低温センター, 助教授 (80311645)

Keywords二重ペロズスカイト / 強相関電子系 / ハーフメタル / 反強磁性 / 磁性と伝導
Research Abstract

1.研究内容
二重ペロブスカイトLa_<2-x>Sr_xNiRuO_6の単結晶作製と物性評価を行った。2種類の遷移金属イオンに、遍歴電子性と局在スピン性を役割分担させることにより伝導と磁性の相互作用を強め、反強磁性ハーフメタルの創製を実現するという戦略に基づき、二重ペロブスカイトLa_<2-x>Sr_xNiRuO_6を用い、その単結晶作製をフラックス法および浮遊帯域法(FZ法)を用いて行った。また、Srドーピングによりキャリアーの導入を行い、磁性ならびに輸送特性の変化を測定した。
2.研究経過および進捗状況、成果
フラックス法により、La_<2-x>Sr_xNiRuO_6の単結晶作成に成功した。La_<2-x>Sr_xNiRuO_6は、x=0で約25Kに反強磁性転移を伴う絶縁体であるが、Srドーピングとともに反強磁性相転移温度が減少し、同時に電気抵抗率も減少することが明らかとなったが、現時点(x=0.3)では金属化に成功していない。しかしながら、粉末体試料ではx=1.3程度までのドーピングが可能であることがわかっており、今後high dope領域の単結晶試料作製と物性評価を行う予定である。

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Published: 2002-04-03   Modified: 2016-04-21  

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