マイクロチップレーザーのための低損失アクティブQスイッチ素子の研究

2000 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 12750038
• Research Institution: University of Fukui
• Principal Investigator: 川戸 栄 福井大学, 工学部, 助手 (60313730)
• Keywords: マイクロレーザ / Qスイッチ / アクティブ / パッシブ / 単一周波数

Research Abstract

マイクロチップレーザなど小型レーザの高効率Qスイッチ発振のため、今年度は下記の研究を行った。
1.Nd:YAGマイクロレーザをQスイッチ動作させるため、Cr^<4+>:YAG過飽和吸収体を用い、Cr^<4+>:YAGの初期透過率を高効率および高平均出力動作、高パルスエネルギー動作、高ピークパワー動作のための最適化をおこなった。ビーム品質TEM_<00>で変換効率22%で440mWの平均出力、単一周波数動作時(線幅〜300MHz)に、33μJのパルスエネルギー、21kWのピーク出力を得ることに成功した。
2.従来ボッケルスセル素子としてよく用いられているKDPやKD′P素子に比べ、半分以下の低い電圧で動作が可能なRTP Q-Switch素子を用い、偏光特性などのQスイッチ動作のための理論的検討および基礎実験を行った。
3.小型の単一周波数アクティブQスイッチレーザの開発を行い、繰り返し周波数10kHzで平均出力3.1W、効率16%を得ることに成功した。

Research Products

• [Publications] 川戸栄,松村竜也,竹内克説,小林喬郎: "LD励起単一モードQスイッチNd:YAGレーザの周波数可変動作"電子情報通信学会技術報告(レーザ・量子エレクトロニクス). 100. 43-48 (2000)