2000 Fiscal Year Annual Research Report
次世代超高密度光記録膜用新規酸化物材料に関する研究
Project/Area Number |
12750044
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Research Institution | Osaka Sangyo University |
Principal Investigator |
青木 孝憲 大阪産業大学, 工学部, 助手 (40268280)
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Keywords | 光記録膜 / 酸化物積層構造 / DVD-R / パルスレーザー堆積法 / スパッタリング法 |
Research Abstract |
近年、半導体レーザーの短波長化が進み光記録膜の高密度化が期待され、短波長レーザーに対応した光記録膜材料の開発が急務となった。そこで、本研究では大きなバンドギャップを有する酸化物材料を用いた光記録膜の基礎的な研究を行った。 酸化物材料としてGa_2O_3とIn_2O_3及びZnOとIn_2O_3を組み合わせたスプリットターゲットを用い、パルスレーザー堆積法により積層構造の薄膜をガラス基板上に堆積させた。Ga_2O_3とIn_2O_3の積層構造の場合Ga_2O_3:In_2O_3=3:1の組成比(トレース比)のとき、波長300nmにおいて熱処理前後での透過率差は49%、ZnOとIn_2O_3の場合ZnO:In_2O_3=1:10のとき、波長350nmにおいて透過率差33%の値が得られた。XRD及びXPSの測定より、熱処理前後の透過率変化は酸化の度合いに起因していることが分かった。また、Nd:YAGレーザーの第3高調波(355nm,3ns)のパルス光を用いて記録ドットの書き込みを確認した。 実用化を目指した場合、スパッタリング法の方が有利であるため、Ga_2O_3,In_2O_3及びZnOの酸化物材料を種々組み合わせRFマグネトロンスパッタ法で積層膜を作製した。その結果、ZnOとIn_2O_3の積層構造が最も大きな透過率差(熱処理前後において)が得られ、その値は波長400nmにおいて47%であった。次に、金属のInやZnを用いGa_2O_3と組み合わせについても実験を行ない、In:Zn:Ga(Ga_2O_3)=48:48:4の膜の場合、波長350nmにおいて透過率差50%の大きな値が得られた。この膜をポリカーボネイト基盤(DVD-R用基盤)上に堆積し、CNR測定を行った。書込パワー8mW,読取りパワー0.6mWの条件下で約50dB程度の実用可能な、良好な値のCN比が得られた。
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Research Products
(6 results)
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[Publications] 青木孝憲 他: "高周波スパッタリング法を用いた作成した金属インジウム・酸化ガリウム光記録膜"真空. 2000Vol.43 NO.3. 116-119 (2000)
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[Publications] T.Aoki et al.,: "Optical Recording In-Zn-Ga Oxide Films Prepared by Radio-Frequency Magnetron Sputtering"Proceeding of The 12th Symposium on Phase Change Optical Information Storage (PCOS2000). PCOS2000. 7-12 (2000)
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[Publications] T.Aoki et al.,: "Zn-Ga-In Oxide Films for High Density DVD-R with Blue Laser"SPIE. Vol.4085. 98-103 (2001)
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[Publications] 青木 他: "金属+酸化物混合薄膜を用いた青色レーザー対応型高密度光ディスク"真空. 2001Vol.44 NO.3(印刷中). (2001)
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[Publications] 青木 他: "酸化物スプリットターゲットを用いたパルスレーザー堆積法で作製した積層型光記録膜"真空. 2001Vol.44 NO.3(印刷中). (2001)
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[Publications] 青木 他: "高周波スパッタリング法により作製した金属・酸化物積層型光記録膜"真空. 2001Vol.44 NO.3(印刷中). (2001)