2002 Fiscal Year Annual Research Report
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13025228
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Research Institution | Osaka University |
Principal Investigator |
田畑 仁 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (00263319)
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Keywords | 強誘電体 / 強磁性体 / バイオエレクトロニクス / ペロブスカイト / レーザーMBE / メモリ素子 / 機能調和材料 / ナノテクノロジー |
Research Abstract |
文字通り原子スケールで半導体との界面を制御し(量子現象を制御し)、物質科学の立場からブレークスルーとなり得る新規メモリ材料を開発し、素子化への橋渡しをすることを目的とし、「シリコンテクノロジー」と「酸化物エレクトロニクス」および「バイオエレクトロニクス」の融合を実施した。 酸化に対して活性な化学反応特性を有するシリコン表面と酸化物との原子スケール完全界面制御を実施した、レーザーMBEおよびUHV-SPM技術を駆使し、シリコンと機能性薄膜をつなぐ極薄中間層(〜1nm程度のSiON)、さらにその上に強誘電体薄膜を全エピタキシャル形成する、完全界面-結晶成長制御技術を確立できた。 機能調和・集積化を実現するため、透明なトランジスタとしてZnO-TFTの作製に成功した。現在実用に供されているアモルファスシリコンと同等以上の特性を実現でき、さらに3.3eVのバンドギャップのため可視光の吸収問題が無くなり、極めて有望なトランジスタであることが実証できた。また、電荷のみを情報伝達信号とせず、電荷情報とスピン情報を複合したスピンエレクトロニクス材料としてV-ZnOを、2段階低温薄膜成長法により実現した。 さらに、新規な機能調和素子を目指して、DNA等のバイオ分子のもつプログラム自己組織化特性を利用した分子素子をSi基板上に形成し、化学的・電気的キャリア注入や、化学修飾による光スイッチング特性を付与した分子デバイス実現のための基礎物性を評価した。 これらの物性評価には、ナノスケールで構造を制御した電極が必須であり、本特定研のメンバーである一木(東洋大)、堀池(東大)らとの共同研究により、当該研究を推進した。
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Research Products
(24 results)
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[Publications] T.Shimuta: "Enhancement of remanent polarization in epitaxial BaTiO_3/SrTiO_3 superlattices with "asymmetric" structure"J.Appl.Phys.. 91. 2290-2294 (2002)
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[Publications] Y.Otsuka: "Influence of humidity on the electrical conductivity of synthesized DNA film on nanogap electrode"Jpn.J.Appl.Phys.. 41. 891-894 (2002)
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[Publications] J.H.Gu: "Self-assembled dye-DNA network and its photoinduced electrical conductivity"Appl.Phys.Lett.. 80. 688-690 (2002)
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[Publications] Y.Hotta: "Determination of the optimal cation composition of ferroelectric (Zn_xCd_<1-x>)S thin films for applications to silicon-based nonvolatile memories"Appl.Phys.Lett.. 80. 3180-3182 (2002)
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[Publications] X.L.Guo: "p-Type conduction in transparent semiconductor ZnO thin films induced by electron cyclotron resonance N_2O plasma"Optical Materials. 19. 229-233 (2002)
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[Publications] X.L.Guo: "Epitaxial growth and optoelectronic properties of nitrogen-doped ZnO films on ( 11-20)Al_2O_3 substrate"J.Cryst.Growth. 237-239. 544-547 (2002)
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[Publications] S.Mine: "Characteristics of mechanically tunable superconductive resonators"Supercond.Sci.Technol.. 15. 635-638 (2002)
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[Publications] M.Joseph: "Preparation of La_<0.9>Sr_<0.1>Ga_<0.85>Mg_<0.15>O_<2.875> thin films by pulsed-laser deposition and conductivity studies"J.Appl.Phys.. 92. 997-1001 (2002)
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[Publications] Y-G Park: "Photo-induced ferroelectric hysteresis curve in organic CuPc photoconductor/inorganic BaTiO_3 ferroelectric heterojunction photomemory"Appl.Phys.Lett.. 81. 1318-1320 (2002)
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[Publications] J.H.Gu: "Electric conductivity of dye modified DNA films with and without light irradiation in various humidities"J.Appl.Phys.. 92. 2816-2820 (2002)
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[Publications] O.Nakagawara: "Dependence of dielectric and ferroelectric behaviors on growth orientation in epitaxial BaTiO_3/SrTiO_3 superlattices"Vaccum. 66. 397-401 (2002)
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[Publications] H.Nishikawa: "Preparation of directly stacked YBa_2Cu_3O_7-delta/oxide magnetic material thin films on Al_2O_3(0001) substrate"Supercond.Sci.&Tech.. 15. 170-173 (2002)
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[Publications] S.Tanaka: "Synthesis of Poly(dA)・Poly(dT) DNA without structural defects using enzymatic reaction ; tailored ligated Poly(dA)・Poly(dT)"Chem.Commun.. 91. 2330-2331 (2002)
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[Publications] H.Tabata: "Toward the DNA electronics"Synthetic Metals. 9480. 1-4 (2002)
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[Publications] S.Masuda: "Transparent thin films transistors using ZnO as an active channel layer and their electrical properties"J.Appl.Phys.. 93(in press). (2003)
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[Publications] H.Matsui: "Influence of-co-doping with Ga on the electrical and optical properties of N-doped ZnO films"Electrochem.Soc.. (in press). (2003)
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[Publications] H.Matsui: "Effect of chemical doping with Ga and N on electrical and optical properties of ZnO thin films"Ext.Abstract of the 2002 Int.Conf.of SSDM. 362-363 (2002)
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[Publications] H.Saeki: "Magnetism of transition-metal doped ZnO thin films"Proc.of the 8th Physics and application of spin-related phenomena in semiconductors. 65-68 (2002)
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[Publications] H.Tabata: "Control of the orfered-disorederd state of B-site ions in ferroelectric relaxor superlattices"J.Kor.Phys.Soc.. 29(in press). (2002)
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[Publications] 田畑 仁: "極限界面制御による機能性材料-シリコン インテグレーション"Semiconductor FPD World. 5. 63-65 (2002)
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[Publications] 田畑 仁: "DNAナノテクノロジー"応用物理. 71. 1007-1013 (2002)
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[Publications] 田畑 仁(分担執筆): "マイクロマシン"産業技術サービスセンター. 294-303 (2002)
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[Publications] 田畑 仁(分担執筆): "イオン工学ハンドブック"共立出版. 933-937 (2002)
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[Publications] 田畑 仁(分担執筆): "薄膜工学"丸善. 231-243 (2003)